[发明专利]一种蓝宝石衬底制作方法

说明书

本发明提供一种蓝宝石衬底制作方法，一种蓝宝石衬底制作方法，方法包括：获取线切后清洗完成的晶片，并将线切后清洗完成的晶片进行退火前清洗，再对晶片进行退火处理；根据晶片规格数据，对退火处理后的晶片进行线切后分规处理，并对分规处理后的晶片进行筛选，得到筛选后的第一规格晶片；对第一规格晶片进行倒角，获得蓝宝石衬底。上述蓝宝石衬底制作方法，通过将线切割后的晶片，根据晶片规格数据进行检测，得到第一规格晶片，将第一规格晶片进行倒角，通过倒角后的晶片获得蓝宝石衬底，无需经过双面研磨，简化了制作工艺流程，解决了现有技术中多线切割后产品需要全部经过双面研磨后才可进行之后的生产工序，导致单片生产成本高的技术问题。

技术领域

本发明涉及芯片技术领域，特别涉及一种蓝宝石衬底制作方法。

背景技术

随着LED领域工艺技术的发展，以及整个LED行业的迅速壮大，对GaN基LED器件PSS衬底的研究也逐渐增多。

图形化蓝宝石衬底，简称PSS(Patterned Sapphire Substrate)，也就是在蓝宝石衬底上生长干法刻蚀用掩膜，用标准的光刻工艺将掩膜刻出图形，利用ICP刻蚀技术刻蚀蓝宝石，并去掉掩膜，再在其上生长GaN材料，使GaN材料的纵向外延变为横向外延。一方面可以有效减少GaN外延材料的位错密度，从而减小有源区的非辐射复合，减小反向漏电流，提高LED的寿命；另一方面有源区发出的光，经GaN和蓝宝石衬底界面多次散射，改变了全反射光的出射角，增加了倒装LED的光从蓝宝石衬底出射的几率，从而提高了光的提取效率。综合这两方面的原因，使PSS上生长的LED的出射光亮度比传统的LED大大提高，同时反向漏电流减小，LED的寿命也得到了延长。

现有技术中，在制作蓝宝石衬底的制作方法中，一般需要定向粘棒、多线切割、线切后检测、线切后清洗、双面研磨、退火、分规、倒角等工艺，使得多线切割后产品需要全部经过双面研磨后才可进行之后的生产工序，双面研磨工序的人工操作多、单片耗材成本高，从而导致蓝宝石衬底的单片成本较高。

发明内容

基于此，本发明的目的是提供一种蓝宝石衬底制作方法，用于解决现有技术中，多线切割后产品需要全部经过双面研磨后才可进行之后的生产工序，导致单片生产成本高的技术问题。

一种蓝宝石衬底制作方法，所述方法包括：

获取线切后清洗完成的晶片，并将所述线切后清洗完成的晶片进行退火前清洗，再对晶片进行退火处理；

根据晶片规格数据，对退火处理后的晶片进行线切后分规处理，并对分规处理后的晶片进行筛选，得到筛选后的晶片，所述筛选后的晶片包括第一规格晶片；

对所述第一规格晶片进行倒角，通过倒角后的晶片获得蓝宝石衬底。

上述蓝宝石衬底制作方法，通过将线切后清洗完成的晶片进行退火前清洗，再对晶片进行退火处理，根据晶片规格数据，对退火处理后的晶片进行线切后分规处理，并对分规处理后的晶片进行筛选，得到筛选后的晶片，筛选后的晶片包括第一规格晶片，对第一规格晶片进行倒角，通过倒角后的晶片获得蓝宝石衬底，无需经过双面研磨的过程，简化了制作工艺流程，降低了生产成本，解决了现有技术中，多线切割后产品需要全部经过双面研磨后才可进行之后的生产工序，导致单片生产成本高的技术问题。

另外，根据本发明上述的蓝宝石衬底制作方法，还可以具有如下附加的技术特征：

进一步地，在根据晶片规格数据，对退火处理后的晶片进行线切后分规处理的步骤中：

晶片规格数据包括Bow值、Warp值、厚度值以及TTV值。

进一步地，所述第一规格晶片的晶片规格数据为：

|Bow|≤5μm，Warp≤18μm，700μm≤厚度≤725μm，TTV≤15μm。

进一步地，所述筛选后的晶片还包括第二规格晶片，所述第二规格晶片的晶片规格数据为：