[发明专利]基于互感器采样和积分原理的电流过冲抑制电路

权利要求书

1.一种基于互感器采样和积分原理的电流过冲抑制电路，包括直流电源、运算放大器、第一可控硅元件和负载，所述负载的正极电源输入端和负极电源输入端分别与所述直流电源的正极和负极连接构成负载回路，所述第一可控硅元件串联连接在所述负载回路上，所述运算放大器的信号输出端与所述第一可控硅元件的控制端连接，所述其特征在于：所述基于互感器采样和积分原理的电流过冲抑制电路还包括电流互感器、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第一电容，所述直流电源的正极与所述电流互感器的初级线圈的正极端连接，所述电流互感器的初级线圈的负极端与所述第一可控硅元件的阳极连接，所述第一可控硅元件的阴极与所述负载的正极电源输入端连接，所述电流互感器的次级线圈的正极端与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第一电容的第一端和所述运算放大器的正信号输入端连接，所述运算放大器的负信号输入端、所述第二电阻的第一端和所述第三电阻的第一端相互连接，所述第三电阻的第二端与所述运算放大器的信号输出端连接，所述电流互感器的次级线圈的负极端、所述第一电容的第二端和所述第二电阻的第二端均与所述直流电源的负极连接。

2.根据权利要求1所述的基于互感器采样和积分原理的电流过冲抑制电路，其特征在于：所述基于互感器采样和积分原理的电流过冲抑制电路还包括第一二极管、第二二极管、稳压二极管、第四电阻和第五电阻，所述第一二极管的正极与所述电流互感器的次级线圈的正极端连接，所述第一二极管的负极与所述第一电阻的第一端连接，所述第二二极管的正极与所述运算放大器的信号输出端连接，所述第二二极管的负极、所述稳压二级管的正极、所述第四电阻的第一端、所述第五电阻的第一端和所述第一可控硅元件的控制端连接相互连接，所述稳压二极管的负极、所述第四电阻的第二端和所述第一可控硅元件的阳极相互连接，所述第五电阻的第二端与所述直流电源的负极连接。

3.根据权利要求1所述的基于互感器采样和积分原理的电流过冲抑制电路，其特征在于：所述第三电阻为热敏电阻。

4.根据权利要求1、2或3所述的基于互感器采样和积分原理的电流过冲抑制电路，其特征在于：所述基于互感器采样和积分原理的电流过冲抑制电路还包括第二可控硅元件、电压比较器、第六电阻、第七电阻、第八电阻和第九电阻，所述第二可控硅元件的阳极与所述运算放大器的正信号输入端连接，所述第二可控硅元件的控制端与所述电压比较器的信号输出端连接，所述电压比较器的正信号输入端与所述第六电阻的第一端连接，所述第六电阻的第二端、所述第八电阻的第一端和所述第九电阻的第一端相互连接，所述第八电阻的第二端与所述第一可控硅元件的阴极连接，所述电压比较器的负信号输入端串联所述第七电阻后与参考电压连接，所述第二可控硅元件的阴极和所述第九电阻的第二端均与所述直流电源的负极连接。

5.根据权利要求4所述的基于互感器采样和积分原理的电流过冲抑制电路，其特征在于：所述第一可控硅元件为P沟道的场效应管且该场效应管的栅极为所述第一可控硅元件的控制端、源极为所述第一可控硅元件的阳极、漏极为所述第一可控硅元件的阴极，所述第二可控硅元件为N沟道的场效应管且该场效应管的栅极为所述第二可控硅元件的控制端、漏极为所述第二可控硅元件的阳极、源极为所述第二可控硅元件的阴极。