[发明专利]内部具有磁隧道结存储单元的非易失性存储设备

权利要求书

1.一种磁存储设备，包括：

衬底，在所述衬底的第一区域上具有第一模制绝缘膜；

第一结构，在所述衬底上，所述第一结构包括下电极、所述下电极上的磁隧道结MTJ结构、以及所述MTJ结构上的上电极；

封盖膜，在所述第一模制绝缘膜和所述第一结构的侧壁上延伸；

第一蚀刻停止层，在所述第一结构和所述封盖膜上；

第二模制绝缘膜，至少部分地填充所述封盖膜和所述第一蚀刻停止层之间的空间；以及

第一金属结构，延伸穿过所述第一蚀刻停止层的一部分和所述第二模制绝缘膜的一部分，并且电耦合到所述上电极。

2.根据权利要求1所述的设备，还包括：

下电极接触部，在所述第一模制绝缘膜内，所述下电极接触部电耦合到所述第一结构内的所述下电极；

第三模制绝缘膜，在所述衬底的第二区域上；

第一通孔接触部，在所述第三模制绝缘膜内；以及

第一金属布线，在所述第一通孔接触部上延伸，并在所述第三模制绝缘膜内；

其中，所述第二模制绝缘膜和所述第三模制绝缘膜是不同的模制绝缘膜；并且

其中，所述第一金属结构相对于所述衬底的第一高度小于所述第一金属布线相对于所述衬底的第二高度。

3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述第三模制绝缘膜与所述封盖膜、所述第一模制绝缘膜、所述第二模制绝缘膜和所述第一蚀刻停止层接触；并且其中，所述第二模制绝缘膜通过所述封盖膜与所述第一结构的侧壁分离。

4.根据权利要求2所述的设备，其中，所述第一蚀刻停止层沿所述第二模制绝缘膜的上表面延伸，但不沿所述第三模制绝缘膜的上表面延伸。

5.根据权利要求2所述的设备，其中，所述第一通孔接触部的宽度小于所述第一金属布线的宽度。

6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一金属结构与所述第一结构的上表面和所述封盖膜接触。

7.根据权利要求2所述的设备，还包括第二蚀刻停止层，所述第二蚀刻停止层覆盖所述第一金属结构、所述第一蚀刻停止层、所述第三模制绝缘膜、以及所述第一金属布线的上表面；并且其中，所述第一蚀刻停止层和所述第二蚀刻停止层在所述衬底的所述第一区域上的厚度大于所述第二蚀刻停止层在所述衬底的所述第二区域上的厚度。

8.根据权利要求7所述的设备，还包括：

第四模制绝缘膜，在所述第二蚀刻停止层上；

第二通孔接触部，设置在所述第二蚀刻停止层和所述第四模制绝缘膜中，并与所述第一金属结构的上表面接触；以及

第二金属布线，接触部设置在所述第四模制绝缘膜中，并与所述第二通孔的上表面接触；并且

其中，所述第二通孔接触部的宽度小于所述第一金属结构的宽度和所述第二金属布线的宽度。

9.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一区域是存储区域，并且所述第二区域是逻辑区域。

10.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一金属结构是金属通孔接触部。