[发明专利]形成半导体装置的方法

权利要求书

1.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包括以下步骤：

在一基板上方的一第一光阻剂层中形成一第一图案；

基于该第一图案蚀刻该基板以在该基板内在一第一方向上形成一第一沟槽集合；

在蚀刻该基板以形成该第一沟槽集合之后去除该第一光阻剂层；

在去除该第一光阻剂层之后，在该基板上方形成一第二光阻剂层；

在该第二光阻剂层中形成一第二图案；及

基于该第二图案蚀刻该基板以在该基板内在一第二方向上形成一第二沟槽集合。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：

填充该第一沟槽集合及该第二沟槽集合以形成一像素阵列的一深沟槽隔离结构。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：

形成用于该像素阵列的多个像素感测器的多个光电二极管；及

其中该第一沟槽集合及该第二沟槽集合形成在该些光电二极管之间。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：

在该基板上方形成一抗反射涂层；及

在该抗反射涂层上方形成该第一光阻剂层。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一方向及该第二方向近似垂直，以使得该第一沟槽集合及该第二沟槽集合在该基板中的多个地点处相交。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：

在蚀刻该基板以形成该第二沟槽集合之前用一阻挡材料填充该第一沟槽集合。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：

在蚀刻该基板以形成该第二沟槽集合之后自该第一沟槽集合去除该阻挡材料；以及

在蚀刻该基板以形成该第二沟槽集合之后去除该第二光阻剂层。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一沟槽集合的一深度与该第一沟槽集合的一宽度之间的一比率在20至50的范围内；以及

该第二沟槽集合的一深度与该第二沟槽集合的一宽度之间的一比率在20至50的范围内。

9.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包括以下步骤：

在该基板上方的一硬遮罩层中在一第一方向上形成一图案的一第一部分；

在形成该图案的该第一部分之后，在该硬遮罩层中在一第二方向上形成该图案的一第二部分；

基于该图案的该第一部分及该第二部分蚀刻该基板，以在该基板中形成多个相交沟槽；及

填充该些相交沟槽以在该基板中形成一深沟槽隔离结构。

10.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包括以下步骤：

在用于一像素阵列的多个像素感测器的一像素阵列的一基板中形成多个光电二极管；

通过一双重图案化技术在该基板中形成多个沟槽，

其中该些沟槽形成在该些光电二极管之间，

其中该些沟槽包含一第一沟槽子集及一第二沟槽子集，且

其中该第一沟槽子集及该第二沟槽子集近似垂直；

填充该些沟槽以在该基板中形成一深沟槽隔离结构；

在该基板上方、该深沟槽隔离结构上方及该光电二极管上方形成一介电层；

在该介电层上方形成一金属层；

蚀刻穿过该金属层且蚀刻至该介电层的一部分以形成一网格结构；

在该网格结构之间形成该像素感测器的多个滤色区；及

在该网格结构上方及该滤色区上方形成该像素阵列的一微透镜层。