[发明专利]温度补偿电路、电压参考电路及产生参考电压的方法

说明书

本揭示内容提供一种温度补偿电路、电压参考电路及产生参考电压的方法。一温度补偿电路可包括与绝对温度成比例(PTAT)电路及与绝对温度互补(CTAT)电路，其中PTAT电路及CTAT电路包括至少一公共金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)，且用以回应于经调整的电流输入而共同产生参考电压。PTAT电路可用以随着温度的升高而产生参考电压的幅度的增大，且CTAT电路可用以随着温度的升高而产生参考电压的幅度的减小，其中由PTAT电路产生的参考电压的幅度的增大至少部分地被由CTAT电路产生的参考电压的幅度的减小所抵消。

技术领域

本揭示内容中描述的技术通常是关于电压参考电路及方法。

背景技术

电压参考是通常用作混合模式及模拟集成电路(integrated circuit，IC)中的功能区块的电路，例如数据转换器、锁相回路(phase lock-loop，PLL)、振荡器、电源管理电路、动态随机存取记忆体(dynamic random access memory，DRAM)、快闪记忆体等。较佳地，电压参考通常与温度、电源及负载变化无关。

为了帮助补偿温度变化，已知的电压参考电路包括利用双极接面晶体管(bipolarjunction transistor，BJT)技术的温度补偿电路。在诸如低电压参考电路的演进技术中，基于BJT的温度补偿电路的效能可能受到限制，例如由于BJT或二极管接入电压。因此，需要使用基于金属氧化物半导体(metal-oxide semiconductor，MOS)的技术来提供高精度、低温度系数(temperature coefficient，TC)调整电压的电压参考电路。

发明内容

本揭示内容包含一种温度补偿电路。温度补偿电路包括与绝对温度成比例(PTAT)电路及与绝对温度互补(CTAT)电路。PTAT电路及CTAT电路包括至少一个公共金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)，且用以回应于经调整的电流输入而共同产生参考电压。PTAT电路用以随着温度的升高而产生参考电压的幅度的增大，CTAT电路用以随着温度的升高而产生参考电压的幅度的减小，其中，由PTAT电路产生的参考电压的幅度的增大至少部分地被由CTAT电路产生的参考电压的幅度的减小所抵消。

本揭示内容包含一种电压参考电路。电压参考电路包括温度补偿电路，其接收输入节点处的经调整电流输入并在输出节点处产生参考电压，温度补偿电路包含与绝对温度成比例(PTAT)电路及与绝对温度互补(CTAT)电路，与绝对温度成比例(PTAT)电路及与绝对温度互补(CTAT)电路共享至少一个公共金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)，且回应于调整电流输入而共同产生参考电压。PTAT电路用以随着温度的升高而产生参考电压的幅度的增大，CTAT电路用以随着温度的升高而产生参考电压的幅度的减小，其中，由PTAT电路产生的参考电压的幅度的增大至少部分地被由CTAT电路产生的参考电压的幅度的减小所抵消。在实施例中，电压参考电路亦可包括产生参考电流的电流偏置电路及回应于参考电流产生参考电流输入的电流镜电路。

本揭示内容包含一种产生一温度补偿参考电压的方法，包含：接收一经调整的输入电流；使用包括一与绝对温度成比例电路的一温度补偿电路及包括至少一个公共金属氧化物半导体场效晶体管的一与绝对温度互补电路，回应于经调整的电流输入而产生一参考电压；通过与绝对温度成比例电路产生的参考电压的幅度的一增大；及通过与绝对温度互补电路随温度的一升高产生参考电压的幅度的一减小，其中由与绝对温度成比例电路产生的参考电压的幅度的增大至少部分地被由与绝对温度互补电路产生的参考电压的幅度的减小所抵消。

附图说明

当与附图一起阅读时，通过以下详细描述可最佳地理解本揭示内容的各个态样。

图1是实例性电压参考电路的方块图；

图2是包括组合PTAT/CTAT温度调整电路的实例性电压参考电路的图；

图3是包括组合PTAT/CTAT温度调整电路的第二实例性电压参考电路的图；