[发明专利]一种纳米银导电膜以及纳米银电容屏在审
申请号: | 202210028420.5 | 申请日: | 2022-01-11 |
公开(公告)号: | CN114429831A | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 郭珺;曾西平;黄康志;蒲燕;赵振 | 申请(专利权)人: | 深圳市华科创智技术有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B1/02;G06F3/044 |
代理公司: | 深圳国海智峰知识产权代理事务所(普通合伙) 44489 | 代理人: | 刘军锋 |
地址: | 518116 广东省深圳市龙岗区宝龙街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 导电 以及 电容 | ||
本发明涉及一种纳米银导电膜以及纳米银电容屏,该纳米银导电膜包括:基层、TX方向的纳米银膜层和RX方向的纳米银膜层,该TX方向的纳米银膜层和RX方向的纳米银膜层分别涂布在该基层的上下两面;该TX方向的纳米银膜层中包括沿TX方向的纳米银导电通道,该RX方向的纳米银膜层中包括沿RX方向的纳米银导电通道;其中,该沿TX方向的纳米银导电通道中包括若干宽度相同的neck区域,每个neck区域中包括拓宽部分和非拓宽部分。能够通过在TX方向的纳米银膜层导电通道的neck区域设置拓宽部分,增大沿TX方向的纳米银导电通道的宽度,减小TX方向的纳米银膜层中的阻抗值,从而增强纳米银导电膜中的阻值均匀性,提高用户的体验效果,延长使用寿命。
技术领域
本发明涉及纳米银导电膜技术领域,具体地,涉及一种纳米银导电膜以及纳米银电容屏。
背景技术
目前,随着科技的不断发展,触摸屏作为一种简单、便捷的人机交互方式,已经广泛应用于我们日常生活的各个领域,同时随着人们要求的不断提高,触摸屏正向着大尺寸、高解析度、轻、薄、可弯曲、低成本等方向发展。银纳米线因其具有金属银的高导电性、绝佳的柔韧性,是超大尺寸、柔性触摸屏的透明电极材料的最佳选择。而传统的纳米银电容屏设计比例基本是16:9,这对于触摸屏来说,TX方向的纳米银通道会比RX方向的纳米银通道长1.78倍,相应的其阻值也会增大。而阻值的不均匀会造成测试数据的不均匀,影响产品的体验效果。TX阻值的增大,也会让产品的使用寿命降低。因此,本领域技术人员亟需寻找一种新的技术方案来解决上述问题。
发明内容
为克服相关技术中存在的问题,本发明公开提供一种纳米银导电膜以及纳米银电容屏。
本发明公开的第一方面,提供一种纳米银导电膜,所述纳米银导电膜包括:基层、TX方向的纳米银膜层和RX方向的纳米银膜层,所述TX方向的纳米银膜层和RX方向的纳米银膜层分别涂布在所述基层的上下两面;
所述TX方向的纳米银膜层中包括沿TX方向的纳米银导电通道,所述RX方向的纳米银膜层中包括沿RX方向的纳米银导电通道;
其中,所述沿TX方向的纳米银导电通道中包括若干宽度相同的neck区域,每个neck区域中包括拓宽部分和非拓宽部分。
可选的,所述每个neck区域中包括2个拓宽部分和1个非拓宽部分,所述1个非拓宽部分位于所述2个拓宽部分的中间。
可选的,所述非拓宽部分的宽度为a,其中1mm≤a≤2mm。
可选的,所述非拓宽部分的宽度为a,其中a为2mm。
可选的,所述拓宽部分的宽度为b,其中,a≤b≤3mm。
可选的,所述拓宽部分的宽度为b,其中,b为2.5mm。
可选的,所述拓宽部分和非拓宽部分的长度相等。
本发明公开的第二方面,提供一种纳米银电容屏,所述纳米银电容屏包括基板和设置于所述基板上的如本发明公开第一方面所述的纳米银导电膜。
综上所述,本发明涉及一种纳米银导电膜以及纳米银电容屏,该纳米银导电膜包括:基层、TX方向的纳米银膜层和RX方向的纳米银膜层,该TX方向的纳米银膜层和RX方向的纳米银膜层分别涂布在该基层的上下两面;该TX方向的纳米银膜层中包括沿TX方向的纳米银导电通道,该RX方向的纳米银膜层中包括沿RX方向的纳米银导电通道;其中,该沿TX方向的纳米银导电通道中包括若干宽度相同的neck区域,每个neck区域中包括拓宽部分和非拓宽部分。能够通过在TX方向的纳米银膜层导电通道的neck区域设置拓宽部分,增大沿TX方向的纳米银导电通道的宽度,减小TX方向的纳米银膜层中的阻抗值,从而增强纳米银导电膜中的阻值均匀性,提高用户的体验效果,延长使用寿命。
本发明公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
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