[发明专利]一种用于双芯不对称移相变压器的励磁变差动保护方法

权利要求书

1.一种用于双芯不对称移相变压器的励磁变差动保护方法，包括以下步骤：

采集二次电流数据作为差动保护的电流激励量，根据采集的二次电流数据对星型或角型接线的二次电流进行相位校正，计算校正后的二次电流数据；

采集装置的设备参数数据和分接头实时档位数据，根据采集的数据进行匝数比智能跟随计算，得到各二次电流的平衡系数Kpn、Kpm；

根据计算得出的校正后的二次电流数据和各二次电流的平衡系数Kpn、Kpm，计算励磁变差动保护的差动电流及制动电流，若差动电流及制动电流所在坐标处于差动比例动作区、且无其他闭锁条件，则差动保护动作；

所述相位校正为：将星型接线变为角型接线，或者将角型接线变为星型接线；

所述的用于双芯不对称移相变压器的励磁变差动保护方法，适配一种双芯不对称移相变压器，所述双芯不对称移相变压器设有：串联变压器一次系统侧电流CT1、串联变压器一次负载侧电流CT2、励磁变压器一次侧电流CT3、励磁变压器二次侧调相绕组N电流CT4、串联变压器二次侧绕组、励磁变压器二次侧调压绕组M。

2.根据权利要求1所述的一种用于双芯不对称移相变压器的励磁变差动保护方法，其特征在于，所述二次电流数据包括：所述励磁变压器一次侧电流CT3的二次电流、所述励磁变压器二次侧调相绕组N电流CT4的二次电流。

3.根据权利要求1所述的一种用于双芯不对称移相变压器的励磁变差动保护方法，其特征在于，所述设备参数包括：调相绕组N、调压绕组M分接头中间档位及对应的匝数比；所述调相绕组N、所述调压绕组M每档匝数百分比；变压器铭牌容量、额定电压；所述励磁变压器一次侧电流CT3变比、所述励磁变压器二次侧调相绕组N电流CT4变比。

4.根据权利要求1所述的一种用于双芯不对称移相变压器的励磁变差动保护方法，其特征在于，所述分接头的当前档位为：所述调相绕组N分接头的当前档位和所述调压绕组M分接头的当前档位。

5.根据权利要求1或4所述的一种用于双芯不对称移相变压器的励磁变差动保护方法，其特征在于，

所述励磁变压器二次侧调相绕组N电流CT4二次电流的实时平衡系数Kpn的计算公式如下：

Kpn＝Pn*(1+Rn*(Dn-On))*K4/K3

式中：Pn为所述调相绕组N分接头中间档位对应的匝数比；Rn为所述调相绕组N每档匝数百分比；Dn所述调相绕组N分接头的当前档位；On为所述调相绕组N分接头中间档位；K3为所述励磁变压器一次侧电流CT3变比；K4为所述励磁变压器二次侧调相绕组N电流CT4变比。

6.根据权利要求1、3或4所述的一种用于双芯不对称移相变压器的励磁变差动保护方法，其特征在于，

所述励磁变二次侧调压绕组M角型接线后的二次电流的实时平衡系数Kpm的计算公式如下：

Kpm＝Pm*(1+Rm*(Dm-Om))*K4/K3

式中：Pm为所述调压绕组M分接头中间档位对应的匝数比；Rm为所述调压绕组M每档匝数百分比；Dm调压绕组M绕组分接头的当前档位；Om所述调压绕组M分接头中间档位；K3为所述励磁变压器一次侧电流CT3变比；K4为所述励磁变压器二次侧调相绕组N电流CT4变比。

7.根据权利要求1所述的一种用于双芯不对称移相变压器的励磁变差动保护方法，其特征在于，作为平衡系数计算的基准侧，所述励磁变压器一次侧电流CT3二次电流平衡系数为1。

8.根据权利要求1至7任意一项所述的一种用于双芯不对称移相变压器的励磁变差动保护方法，其特征在于，所述差动电流及所述制动电流的计算公式如下：

式中：为所述励磁变压器一次侧电流CT3经相位校正后的各相二次电流；为所述励磁变压器二次侧调相绕组N电流CT4经相位校正后的各相二次电流；为所述励磁变调压绕组M角型接线后的各相二次电流，即流经所述励磁变压器二次侧调相N绕组CT4的各相二次电流；I_dz为所述差动电流；I_zd为所述制动电流。