[发明专利]掩模层的重工方法及氮化硅蚀刻方法有效

申请号：	202210029442.3	申请日：	2022-01-12
公开（公告）号：	CN114050106B	公开（公告）日：	2022-04-15
发明（设计）人：	廖军;张志敏	申请（专利权）人：	广州粤芯半导体技术有限公司
主分类号：	H01L21/311	分类号：	H01L21/311;H01L21/66
代理公司：	上海思捷知识产权代理有限公司 31295	代理人：	冯启正
地址：	510000 广东省广州***	国省代码：	广东;44
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	掩模层重工方法氮化蚀刻
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种掩模层的重工方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上具有氮化硅层及待重工的掩模层，所述待重工的掩模层位于所述氮化硅层上；

去除所述待重工的掩模层，并使部分厚度的氮化硅层形成为氮氧化硅层，所述氮氧化硅层具有第一厚度；

去除部分厚度的氮氧化硅层，剩余的氮氧化硅层具有第二厚度，且在对所述氮氧化硅层或所述氮化硅层执行第一蚀刻工艺时，具有所述第二厚度的氮氧化硅层和具有所述第一厚度的氮化硅层在所述第一蚀刻工艺下的蚀刻时间差异在预设范围内，在利用第二蚀刻工艺去除部分厚度的氮氧化硅层时，以所述第二蚀刻工艺的蚀刻时间控制去除所述氮氧化硅层的厚度，所述第二蚀刻工艺的蚀刻时间t满足以下条件：

，

其中，A为所述氮氧化硅层的第一厚度，a为氮化硅层在所述第一蚀刻工艺中的蚀刻速率，b为氮氧化硅层在所述第一蚀刻工艺中的蚀刻速率，c为氮氧化硅层在所述第二蚀刻工艺中的蚀刻速率；

形成图形化的掩模层，所述图形化的掩模层位于所述氮氧化硅层上。

2.根据权利要求1所述的掩模层的重工方法，其特征在于，所述待重工的掩模层包括图形化的光刻胶层或光刻胶层。

3.根据权利要求2所述的掩模层的重工方法，其特征在于，利用灰化工艺去除所述待重工的掩模层，所述灰化工艺的工艺气体包括氧气。

4.根据权利要求3所述的掩模层的重工方法，其特征在于，所述氮氧化硅层的第一厚度为30埃~100埃。

5.根据权利要求1所述的掩模层的重工方法，其特征在于，所述第二蚀刻工艺的工艺气体包括CF₄，所述第一蚀刻工艺的工艺气体包括CHF₃。

6.根据权利要求1所述的掩模层的重工方法，其特征在于，所述第一蚀刻工艺与所述第二蚀刻工艺的工艺条件相同。

7.根据权利要求6所述的掩模层的重工方法，其特征在于，去除所述氮氧化硅层的厚度为10埃~40埃。

8.一种氮化硅蚀刻方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上具有采用如权利要求1至7中任一项所述的掩模层的重工方法形成的氮化硅层、氮氧化硅层以及图形化的掩模层；

利用所述图形化的掩模层，执行第一蚀刻工艺蚀刻，并利用蚀刻终点时间监控所述第一蚀刻工艺。