[发明专利]三态内容寻址存储器

权利要求书

1.三态内容寻址存储器，包括与TCAM单元连接的局部搜索线；其特征在于，所述局部搜索线配有升压电路；

所述升压电路包括：与局部搜索线形成第一耦合电容的第一金属线，以及与第一金属线连接的升压控制单元；

所述升压控制单元在局部搜索线处于高电平时，将第一金属线设置为高电平。

2.根据权利要求1所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，还包括与TCAM单元连接且与局部搜索线互补的互补局部搜索线；

所述升压电路还包括：与互补局部搜索线形成第二耦合电容的第二金属线；升压控制单元还与第二金属线连接；

所述升压控制单元在互补局部搜索线处于高电平时，将第二金属线设置为高电平。

3.根据权利要求2所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，还包括：用于驱动局部搜索线的全局搜索线，以及用于驱动互补局部搜索线的互补全局搜索线。

4.根据权利要求3所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，所述升压控制单元包括：升压控制信号线，第一反相器，第二反相器，第一PMOS管，第三PMOS管，第一NMOS管；

所述升压控制信号线与第一反相器的输入端连接，第一反相器的输出端与第二反相器的输入端连接，第二反相器的输出端与第一金属线连接；

所述升压控制信号线还与第一PMOS管的栅极连接；第一PMOS管的源极与电源连接，第一PMOS管的漏极与第三PMOS管的源极连接，第三PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极连接，第一NMOS管的源极接地；

所述全局搜索线与第三PMOS管的栅极连接，全局搜索线还与第一NMOS管的栅极连接；

所述局部搜索线与第三PMOS管的漏极连接，局部搜索线还与第一NMOS管的漏极连接。

5.根据权利要求4所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，所述升压控制单元还包括：第二PMOS管，第四PMOS管，第二NMOS管；

所述第二反相器的输出端还与第二金属线连接；

所述升压控制信号线还与第二PMOS管的栅极连接；第二PMOS管的源极与电源连接，第二PMOS管的漏极与第四PMOS管的源极连接，第四PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极连接，第二NMOS管的源极接地；

所述互补全局搜索线与第四PMOS管的栅极连接，互补全局搜索线还与第二NMOS管的栅极连接；

所述互补局部搜索线与第四PMOS管的漏极连接，互补局部搜索线还与第二NMOS管的漏极连接。

6.根据权利要求1所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，所述第一金属线与局部搜索线并行。

7.根据权利要求6所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，所述第一金属线不短于局部搜索线。

8.根据权利要求2所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，所述第二金属线与互补局部搜索线并行。

9.根据权利要求8所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，所述第二金属线不短于互补局部搜索线。