[发明专利]一种三态内容寻址存储器

权利要求书

1.一种三态内容寻址存储器，包括与TCAM单元连接的匹配线，TCAM单元中设有比较单元；所述比较单元设有用于对匹配线放电的放电电路，该放电电路设有2级NMOS管；其特征在于，所述匹配线通过放电电路连接负压电路；

所述负压电路包括：与放电电路连接的第一金属线，以及与第一金属线连接的负压控制单元；

所述负压控制单元，其在匹配线求值过程中，将第一金属线设置为负压。

2.根据权利要求1所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，所述负压控制单元，其在匹配线求值之前，将第一金属线预设为低电平。

3.根据权利要求2所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，所述负压控制单元包括：负压控制信号线，反相器，第零NMOS管，以及与第一金属线形成耦合电容的第二金属线；

所述负压控制信号线与反相器的输入端连接；反相器的输出端与第二金属线连接，反相器的输出端还与第零NMOS管的栅极连接；第零NMOS管的漏极与第一金属线连接，第零NMOS管的源极接地。

4.根据权利要求3所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，所述匹配线还配有由求值使能信号控制的第一PMOS管；第一PMOS管的源极与电源连接，第一PMOS管的漏极与匹配线连接，第一PMOS管的栅极受求值使能信号控制。

5.根据权利要求4所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，所述负压电路的控制方法如下：

初始状态时，求值使能信号、负压控制信号线都为低电平；此时，第一PMOS管导通，第二金属线被设为高电平，且第零NMOS管导通；匹配线通过第一PMOS管与电源连接，匹配线电压预充至高电平；第一金属线通过第零NMOS管接地，第一金属线预设为低电平；

需要搜索时，在搜索线启动前将求值使能信号翻转为高电平，使第一PMOS管截止；且在搜索线启动一定时间后将负压控制信号线翻转为高电平，使第二金属线翻转为低电平，且使第零NMOS管截止；第二金属线通过耦合电容下拉第一金属线的电压，将第一金属线设置为负压；

搜索完成后恢复初始状态。

6.根据权利要求3所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，所述第二金属线与第一金属线并行。

7.根据权利要求6所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，所述第二金属线与第一金属线等长。