[发明专利]一种精确高速电压跟随电路及集成电路

权利要求书

1.一种精确高速电压跟随电路，其特征在于，包括：

源极输出电路，包括源极连接的第一NMOS管和第一PMOS管，所述第一NMOS管的漏极连接至VDD，所述第一PMOS管的漏极接地；

第一偏置电路，输入端连接至输入电压、输出端连接至所述第一NMOS管的栅极以提供随所述输入电压变化的第一偏置电压；

第二偏置电路，输入端连接至所述输入电压、输出端连接至所述第一PMOS管的栅极以提供随所述输入电压变化的第二偏置电压；

在正常工作状态，所述第一NMOS管的栅源电压补偿所述第一偏置电压和所述输入电压的差值，所述第一PMOS管的栅源电压补偿所述第二偏置电压和所述输入电压的差值，使所述源极输出电路的输出电压精确跟随所述输入电压。

2.根据权利要求1所述的精确高速电压跟随电路，其特征在于，

所述第一偏置电路包括第一差分对管和第二NMOS管，所述第一差分对管对所述输入电压实现精确跟随，所述第二NMOS管的栅源电压和所述第一差分对管的输出电压叠加构成所述第一偏置电压，所述第二NMOS管还和所述第一NMOS管构成第一比例电流镜；

所述第二偏置电路包括第二差分对管和第二PMOS管，所述第二差分对管对所述输入电压实现精确跟随，所述第二PMOS管的栅源电压和所述第二差分对管的输出电压叠加构成所述第二偏置电压，所述第二PMOS管还和所述第一PMOS管构成第二比例电流镜。

3.根据权利要求2所述的精确高速电压跟随电路，其特征在于，

所述第一偏置电路包括第一电流源、第二电流源，所述第一差分对管包括第三NMOS管、第四NMOS管；

其中所述第三NMOS管的源极和所述第四NMOS管的源极连接后通过所述第一电流源接地，所述第三NMOS管的栅极连接至所述输入电压、漏极连接至VDD，所述第四NMOS管栅漏短接后连接至所述第二NMOS管的源极；所述第二NMOS管的漏极通过所述第二电流源连接至VDD、栅漏极短接后连接至所述第一NMOS管的栅极；

所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的宽长比相等，所述第一电流源的电流为所述第二电流源电流的2倍。

4.根据权利要求2所述的精确高速电压跟随电路，其特征在于，

所述第一偏置电路包括第五电流源、第六电流源、第七电流源，所述第一差分对管包括第五PMOS管、第六PMOS管；

其中所述第五PMOS管的源极和所述第六PMOS管的源极连接后通过所述第五电流源连接至VDD，所述第五PMOS管的栅极连接至所述输入电压、漏极接地，所述第六PMOS管栅漏短接后连接至所述第二NMOS管的源极并通过所述第六电流源接地；所述第二NMOS管的漏极通过所述第七电流源连接至VDD、栅漏极短接后连接至所述第一NMOS管的栅极；

所述第五PMOS管和所述第六PMOS管的宽长比相等，所述第六电流源的电流和所述第七电流源电流的差值等于所述第五电流源的电流的1/2。

5.根据权利要求3所述的精确高速电压跟随电路，其特征在于，

所述第二偏置电路包括第三电流源、第四电流源，所述第二差分对管包括第三PMOS管、第四PMOS管；

其中所述第三PMOS管的源极和所述第四PMOS管的源极连接后通过所述第三电流源连接至VDD，所述第三PMOS管的栅极连接至所述输入电压、漏极接地，所述第四PMOS管栅漏短接后连接至所述第二PMOS管的源极，所述第二PMOS管栅漏短接后通过所述第四电流源接地，所述第二PMOS管的栅极还连接至所述第一PMOS管的栅极；

所述第三PMOS管和所述第四PMOS管的宽长比相等，所述第三电流源的电流为所述第四电流源的电流的2倍。