[发明专利]相变存储器及其制作方法

说明书

本公开实施例公开了一种相变存储器及相变存储器的制作方法，相变存储器的制作方法包括：在衬底上依次形成层叠的第一导电层、第一电极层、第一功能层、第二电极层、第二功能层、第三电极层；在衬底的第一区域上形成贯穿第三电极层至第一导电层的第一隔离结构；其中，第一隔离结构沿平行于衬底的第一方向延伸；第一隔离结构将第一电极层分割成第一电极条；在第三电极层上形成第一牺牲层；形成贯穿第一牺牲层至第一电极条的第二隔离结构；其中，第二隔离结构沿垂直于第一方向的第二方向延伸；第二隔离结构将第一牺牲层分割成第一牺牲条；所述第一牺牲条，形成第一沟槽；在第一沟槽中形成第二地址线。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种相变存储器及相变存储器的制作方法。

背景技术

相变存储器作为一种新兴的非易失性存储器件，在读写速度、读写次数、数据保持时间、单元面积、多值实现等诸多方面相对快闪存储器均具备较大的优越性。

然而，随着相变存储器的发展，相变存储单元在形成时还存在诸多问题。

发明内容

本公开实施例提供一种相变存储器及相变存储器的制作方法。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种相变存储器的制作方法，包括：

在衬底上依次形成层叠的第一导电层、第一电极层、第一功能层、第二电极层、第二功能层、第三电极层；

在所述衬底的第一区域上形成贯穿所述第三电极层至所述第一导电层的第一隔离结构；其中，所述第一隔离结构沿平行于所述衬底的第一方向延伸；所述第一隔离结构将所述第一电极层分割成第一电极条；

在所述第三电极层上形成第一牺牲层；

形成贯穿所述第一牺牲层至所述第一电极条的第二隔离结构；其中，所述第二隔离结构沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸；所述第二隔离结构将所述第一牺牲层分割成第一牺牲条；

去除所述第一牺牲条，形成第一沟槽；

在所述第一沟槽中形成第二地址线。

上述方案中，所述衬底还包括与所述第一区域并列设置的第二区域；所述第二区域上形成有外围电路；

所述方法还包括：

在所述第三电极层上形成第一牺牲层之前，在所述第二区域上形成介质层。

上述方案中，所述方法还包括：

所述在所述第三电极层上形成第一牺牲层时，所述第一牺牲层同时覆盖所述介质层；

所述形成贯穿所述第一牺牲层至所述第一电极条的第二隔离结构时，所述第二隔离结构同时贯穿所述介质层；

所述去除所述第一牺牲条，形成第一沟槽时，所述第一沟槽同时形成在所述介质层上。

上述方案中，所述方法还包括：

在形成所述第一沟槽之后，在所述第一沟槽上形成第一掩膜层；

利用所述第一掩膜层，对所述第一沟槽底部的介质层进行刻蚀处理，形成局部加深所述第一沟槽的第二沟槽；所述第二沟槽的底部显露所述外围电路；

所述在所述第一沟槽中形成第二地址线时，在所述第二沟槽中形成第二地址线的加长部分以及接触结构；所述第二地址线通过所述接触结构与所述外围电路电连接。

上述方案中，所述第一掩膜层的材料包括碳。

上述方案中，所述方法还包括：

在所述第三电极层上形成第一牺牲层之前，在所述介质层中形成接触结构；所述接触结构与所述外围电路接触且电连接。