[发明专利]一种增强型FVF电路

说明书

本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种增强型FVF电路。本发明的电路相比于传统的FVF电路拥有更低的输出阻抗，且相对于传统FVF电路并未增加电路复杂度。增强型FVF电路可用于运放输出级、线性稳压器电路和一些需要低输出阻抗的电路中等。本发明通过增加一个共源共栅管、一个PMOS跟随器来提高环路增益，实现了更低的输出阻抗，增加的共源共栅管的输入端恒接地，避免了额外的偏置电压。本发明的增强型FVF电路因其简单而有效的结构，使得其具有广泛的应用场景。

技术领域

本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种增强型FVF电路。

背景技术

传统FVF结构如图1所示，它的原理是通过Shunt-Shunt负反馈来减小跟随器的输出电阻，其输出电阻可以表示为

公式(1)中g_MC1为晶体管MC1的跨导，g_MC2为晶体管MC2的跨导，r_oMC1为MC1的小信号输出电阻。相比于传统源跟随器的输出电阻，传统的FVF电路通过局部负反馈结构将输出电阻降低几倍到几十倍，但是在某些场合，需要更低的输出电阻来达到更优的性能。

发明内容

针对上述问题，本发明提出了一种增强型FVF电路结构，如图2所示。此发明通过增加一个共源共栅MOS管和一个PMOS跟随器来提高环路增益，达到进一步减小输出电阻的目的，另外，所增加的共源共栅MOS管的输入端恒接地，避免了额外的偏置电路。

本发明的技术方案是：

一种增强型FVF电路，其特征在于，包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第一电流源I1、第二电流源I2；其中，

第一晶体管M1的源极接第三晶体管M3的漏极且作为输出端，第一晶体管M1的漏极接第二晶体管M2的源极，第一晶体管M1的栅极接输入电压Vin；

第二晶体管M2的源极接第一晶体管M1的漏极，第二晶体管M2的漏极接第一电流源I1的正向端，第二晶体管M2的栅极接地；

第三晶体管M3的源极接电源VDD，第三晶体管M3的栅极接第四晶体管M4的源极和第二电流源I2的反向端；

第四晶体管M4的源极接第三晶体管M3的栅极，第四晶体管M4的漏极接地和第一电流源I1的反向端，第四晶体管M4的栅极第一电流源I1的正向端和第二晶体管M2的漏极。

本发明中使用的电流源包括第一电流源I1、第二电流源I2在实际电路中均使用MOS管作为代替，可以用简单的电流镜电路进行偏置。第四晶体管M4作为源跟随器引入，其目的在于将第三晶体管M3的栅极电压做电平移位，让第三晶体管M3的栅极电压不过低，以此保证再引入共源共栅管之后能有足够的输出摆幅。

本发明的有益效果是：通过简单的增加一个第二晶体管M2作为共源共栅管，在不增加功耗的情况下进一步提高环路增益，达到进一步减小输出电阻的目的。第四晶体管M4作为源跟随器引入，其目的在于将第三晶体管M3的栅极电压做电平移位，让第三晶体管M3的栅极电压不过低，以此保证在引入共源共栅管之后能有足够的输出电压摆幅。

附图说明

图1为传统FVF电路结构；

图2为本发明的增强型FVF电路结构；

图3为本发明的增强型FVF电路结构和传统FVF电路结构的输出阻抗仿真图对比示意图。

具体实施方式

下面结合附图详细描述本发明的技术方案：