[发明专利]相控阵天线阵面阵元自适应封装工艺方法

权利要求书

1.一种相控阵天线大规模阵元自适应封装工艺方法，其特征在于包括如下步骤：采用一种宽温域形状记忆合金材料，在-70℃~-40℃低温下，完成形状记忆合金密封环（1）的高精度成型；在相控阵天线阵面结构件（4）的阵面上，设计并制作垂直于所述阵面，间距线阵布局集成密度孔径的阵元安装孔（6），并在阵元安装孔（6）底部制出阵元组件射频连接器（3）引线的引出孔，同时铣制出环绕所述引出孔的薄壁内环筒（2），以形成放置形状记忆合金密封环（1）的环形凹槽（5）；在常温条件下，将形状记忆合金密封环（1）手动或自动装入环形凹槽（5）中，将阵元组件射频连接器（3）同轴装配到阵元安装孔（6）内，然后将组装好的相控阵天线阵面结构件（4）放入真空温箱内，在真空温箱内80℃~100℃的工艺条件下完成自适应封装；

其中，在真空温箱内80℃~100℃的工艺条件下，形状记忆合金密封环（1）相变为在奥氏体和马氏体两种结晶态之间转变的记忆行为体，产生强烈收缩后的延展性紧固力对薄壁内环筒（2）腔体的圆周产生作用在阵元组件射频连接器（3）上，产生颈缩性的双向形状记忆效应SME的回复应变和形状回复力塑性变形，并最终实现相控阵天线阵面大规模阵元的自适应封装。

2.如权利要求1所述的相控阵天线大规模阵元自适应封装工艺方法，其特征在于：所述的形状记忆合金密封环（1）采用镍-钛系合金是形状记忆合金、铜系形状记忆合金、添加了微量钛、锰、锆的铜系形状记忆合金、铜-锌-铝合金系形状记忆合金，铁系形状记忆合金、铁-锰合金、铁-铂合金以及不锈钢系形状记忆合金SMA材料中的一种。