[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法和存储介质

说明书

本发明涉及一种基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法和存储介质，使基板处理的面内均一性提高。基板处理装置具备：处理容器，其对处理气体进行等离子体激励；气体供给系统，其向处理容器内供给处理气体；以及线圈，其设置为第一接地点与第二接地点之间的区间沿着处理容器的外周以螺旋状卷绕多周，且被供给高频电力，线圈构成为，在从第一接地点朝向第二接地点的方向上，在沿处理容器的外周卷绕一周为止的区间即第一卷绕区间内，包含第一接地点的一部分的区间的从线圈的内周到处理容器的内周的距离即线圈间隔距离，比与包含第一接地点的一部分的区间连续的其它区间的线圈间隔距离长。

技术领域

本公开涉及一种基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法和存储介质。

背景技术

专利文献1记载了一种基板处理装置，其通过向线圈提供高频电力，从而对处理气体进行等离子体激励，来进行基板处理。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2019/082569号小册子

发明内容

发明所要解决的课题

但是，就上述这样的基板处理装置而言，有可能在线圈上的接地点附近发生基板的面内方向的等离子体密度偏向，导致基板处理的面内均一性降低。

本公开的目的在于，提供一种能够使基板处理的面内均一性提高的技术。

用于解决课题的方案

根据本公开一方案，提供如下技术，具备：

处理容器，其对处理气体进行等离子体激励；

气体供给系统，其向所述处理容器内供给所述处理气体；以及

线圈，其设置为第一接地点与第二接地点之间的区间沿着所述处理容器的外周以螺旋状卷绕多周，且被供给高频电力，

所述线圈构成为，在从所述第一接地点朝向所述第二接地点的方向上，在沿所述处理容器的外周卷绕一周为止的区间即第一卷绕区间内，包含所述第一接地点的一部分的区间的从所述线圈的内周到所述处理容器的内周的距离即线圈间隔距离，比与包含所述第一接地点的一部分的区间连续的其它区间的线圈间隔距离长。

发明的效果

根据本公开，能够提高基板处理的面内均一性。

附图说明

图1是本公开一方式中适用的基板处理装置的概要结构图。

图2的(A)是表示本公开的比较例的谐振线圈的图，图2的(B)是表示图2的(A)的谐振线圈中的电流与电压的关系的说明图。

图3的(A)是表示利用图2的(A)的谐振线圈对处理气体进行等离子体激励时的处理炉内状态的图，图3的(B)是图3的(A)的谐振线圈的下端的水平剖视图。

图4的(A)是表示本公开一方式中适用的谐振线圈的图，图4的(B)是表示图4的(A)的谐振线圈中的电流与电压的关系的说明图。

图5的(A)是表示利用图4的(A)的谐振线圈对处理气体进行等离子体激励时的处理炉内状态的图，图5的(B)是图5的(A)的谐振线圈的下端的水平剖视图。

图6是表示可适用于本公开一方式的基板处理装置的控制部(控制单元)的结构的图。

图7是表示可适用于本公开一方式的基板处理工序的流程图。

图8的(A)是表示利用可适用于本公开一方式的谐振线圈的变形例对处理气体进行等离子体激励时的处理炉内状态的图，图8的(B)是图8的(A)的谐振线圈的上端的水平剖视图。