[发明专利]一种NAND重读档位的换档方法、系统及相关组件

说明书

本申请公开了一种NAND重读档位的换档方法、系统及相关组件，该方法包括：当收到换档重读指令，对NAND下发多个读电压对应的多个测试电压，以获取NAND的当前电压分布曲线；在当前电压分布曲线中，确定每个读电压对应的最低波谷电压；比较每个读电压及其对应的最低波谷电压，确定每个读电压的偏移值；根据偏移值，对NAND进行换档重读。本申请中在收到换档重读指令时，未使用重读档位表中重读档位，而是直接重新获取当前电压分布曲线和当前NAND的实际偏移值，然后进行换档重读，即使重读档位表中不存在正确的重读档位，本申请依然能够完成正确的数据读取，相比重读档位表的方法，本申请成功率更高，适用范围更广。

技术领域

本发明涉及NAND FLASH领域，特别涉及一种NAND重读档位的换档方法、系统及相关组件。

背景技术

当前，NAND FLASH，简称NAND，常规的颗粒加载包括：按照默认重读档位readretry读取NAND，如果数据读取时由于位反转bit flip过多导致数据读取失败，则按照厂商预设于NAND中的重读档位表read retry table中每组重读档位逐一尝试重读，直至数据读取正确为止。

这种方法的成功率建立在厂商预设的重读档位表上，如果当前NAND的实际重读档位没有出现在重读档位表中，按照重读档位表尝试依然无法读取到正确数据，该重读档位表具有一定的局限性，无法适用于所有颗粒的应用场景，未能解决所有位反转过多导致的数据读取失败的问题。

因此，如何提供一种解决上述技术问题的方案是目前本领域技术人员需要解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种适用性更广的NAND重读档位的换档方法、系统及相关组件。其具体方案如下：

一种NAND重读档位的换档方法，包括：

当收到换档重读指令，对NAND下发多个读电压对应的多个测试电压，以获取所述NAND的当前电压分布曲线；

在所述当前电压分布曲线中，确定每个所述读电压对应的最低波谷电压；

比较每个所述读电压及其对应的所述最低波谷电压，确定每个所述读电压的偏移值；

根据所述偏移值，对所述NAND进行换档重读。

优选的，所述在所述当前电压分布曲线中，确定每个所述读电压对应的最低波谷电压的过程，包括：

在所述当前电压分布曲线中，以预设反转数为最大值，确定每个所述读电压对应的波谷电压曲线段；

确定每个所述波谷电压曲线段中的局域最小值；

根据每个所述读电压对应的所有所述局域最小值，确定对应的最低波谷电压。

优选的，所述根据每个所述读电压对应的所有所述局域最小值，确定对应的最低波谷电压的过程，包括：

对每个所述读电压对应的所有所述局域最小值对应的所有电压求平均值或求中位数，作为对应的最低波谷电压。

优选的，所述根据每个所述读电压对应的所有所述局域最小值，确定对应的最低波谷电压的过程，包括：

从每个所述读电压对应的所有所述局域最小值对应的所有电压中，确定距离对应的所述读电压最近的电压值，作为对应的最低波谷电压。

优选的，所述在所述当前电压分布曲线中，确定每个所述读电压对应的最低波谷电压的过程，包括：

在所述当前电压分布曲线中，以预设反转数为最大值，确定每个所述读电压对应的波谷电压曲线段；

确定每个所述波谷电压曲线段中的最小值，作为对应的最低波谷电压。