[发明专利]一种TopCon电池的制备方法在审
| 申请号： | 202210034770.2 | 申请日： | 2022-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN114050105A | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 余浩;方灵新;单伟;何胜;徐伟智;黄海燕;陆川 | 申请（专利权）人： | 海宁正泰新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/225;H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张雪娇 |
| 地址： | 314400 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 topcon 电池 制备 方法 | ||
1.一种TopCon电池的制备方法，其特征在于，包括：
提供TopCon电池的半成品；所述半成品包括硅片，设置于硅片正面的发射极层、依次设置于硅片背面的隧穿氧化层与掺杂多晶硅层；
在半成品的正面沉积氧化镓钝化层；
利用激光对沉积氧化镓钝化层的半成品的正面进行选择性掺杂处理；
在选择性掺杂处理的半成品的正面和背面分别沉积正面减反射层与背面减反射层；
在沉积正面减反射层与背面减反射层的半成品的正面和背面分别制备电极，得到TopCon电池；其中正面制备电极的过程为在正面选择性掺杂处理区域制备选择性发射电极。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化镓钝化层的厚度为1~50 nm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述激光为长脉冲激光；所述激光的波长为300~400 nm；所述激光的能量密度为1~10 J·cm-2。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半成品按照以下方法制备：
将硅片进行制绒；
将制绒后硅片的正面进行扩散处理，形成发射极层；
在形成发射极层硅片的背面制备隧穿氧化层与多晶硅层，并对多晶硅层进行掺杂，形成掺杂多晶硅层。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，制绒后硅片的反射率为9%~12%。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述扩散处理为硼扩散掺杂处理；扩散处理的过程中以BBr3为硼源，以惰性气体为载气；所述载气的流量为100~150 sccm；所述扩散处理的温度为800℃~1000℃；所述扩散处理的时间为80~120 min。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，扩散处理后扩散层的方阻为120~150Ω/sq。
8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为1~10 nm；所述掺杂多晶硅层的厚度为100~150 nm。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述正面减反射层与背面减反射层为氮化镓减反射层。
10.一种TopCon电池正面选择性掺杂的方法，其特征在于，包括：
提供TopCon电池的半成品；所述半成品包括硅片，设置于硅片正面的发射极层、依次设置于硅片背面的隧穿氧化层与掺杂多晶硅层；
在半成品的正面沉积氧化镓钝化层；
利用激光对沉积氧化镓钝化层的本半成品的正面进行选择性掺杂处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
