[发明专利]显示装置和形成显示装置的方法在审
申请号: | 202210035221.7 | 申请日: | 2022-01-13 |
公开(公告)号: | CN114823794A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 全始貦;金暲镒;安在宪;李明锺;李成连;洪锡埈 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 李子光 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 形成 方法 | ||
提供了显示装置和形成显示装置的方法。显示装置包括第一衬底、坝、第一量子点层和第二量子点层,坝在第一衬底上,坝包括第一开口、第二开口、第三开口和多个辅助开口,其中,限定第一开口、第二开口和第三开口的分隔壁的厚度大于排列在辅助开口中的辅助分隔壁的厚度,第一量子点层在第一开口中,并且第二量子点层在第二开口中。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年1月19日提交的第10-2021-0007670号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请出于所有目的通过引用并入本文中,如同在本文中全面阐述一样。
技术领域
本发明的实施方式总体上涉及显示装置,并且更具体地,涉及通过降低在其制造工艺中出现缺陷的工艺制成的显示装置。
背景技术
显示装置具有多个像素。针对全色显示装置,多个像素可发射彼此不同颜色的光。为此,显示装置的至少一些像素具有颜色转换器。因此,在一些像素中由光发射器生成的第一颜色的光在通过对应的颜色转换器的同时被转换为第二颜色的光并且被提取到外部。
然而,这种传统的显示装置具有在制造工艺中会出现缺陷的高可能性。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解本发明概念的背景,并因此,其可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
一个或多个实施方式包括降低了在制造工艺中会出现缺陷的可能性的显示装置。然而,这仅为实例,并且本公开的范围不受其限制。
本发明概念的附加的特征将在以下描述中阐述,并且部分地将通过该描述而显而易见,或者可通过实践本发明概念而习得。
根据一个或多个实施方式,显示装置包括第一衬底、坝、第一量子点层和第二量子点层,坝在第一衬底上,坝包括第一开口、第二开口、第三开口和多个辅助开口,其中,限定第一开口、第二开口和第三开口的分隔壁的厚度大于排列在辅助开口中的辅助分隔壁的厚度,第一量子点层在第一开口中,并且第二量子点层在第二开口中。
第一量子点层可配置成将具有属于第一波长带的波长的光转换为具有属于第二波长带的波长的光,并且第二量子点层可配置成将具有属于第一波长带的波长的光转换为具有属于第三波长带的波长的光。
显示装置还可包括在第三开口中并且配置成透射入射光的透射层。
显示装置还可包括第二衬底、第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极、像素限定层、发射层和相对电极,第二衬底在第一衬底下面以使得坝在其间,第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极在第二衬底上,其中,第一像素电极对应于第一开口,第二像素电极对应于第二开口,并且第三像素电极对应于第三开口,并且其中,第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极彼此隔开,像素限定层覆盖第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极中的每个的边缘,并且具有暴露第一像素电极的中央部分的开口、暴露第二像素电极的中央部分的开口和暴露第三像素电极的中央部分的开口,发射层在第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极上并且能够发射具有属于第一波长带的波长的光,并且相对电极在发射层上。
多个辅助开口中的每个可由辅助分隔壁分隔成多个辅助空间。
多个辅助空间中的每个的面积可为第一开口、第二开口和第三开口之中的最接近的一个开口的面积的约33%或更小。
当从与第一衬底垂直的方向观察时,多个辅助空间中的每个可具有带有内钝角的多边形形状。
当从与第一衬底垂直的方向观察时,多个辅助空间中的每个可具有倒角形状。
第一开口、第二开口和第三开口可在多个假想线上,并且多个辅助开口可在多个假想线之间。
第一开口、第二开口和第三开口的组合可重复地排列在多个假想线中的每个上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的