[发明专利]一种定向生长的GeSe2

权利要求书

1.一种定向生长的GeSe₂纳米线的制备方法，其特征在于：在真空环境下，将硒粉和锗粉在进行分别加热的过程中进行化学气相淀积，即得定向生长的GeSe₂纳米线；其中，化学气相淀积的生长基底置于锗粉上方；所述化学气相淀积的反应温度为：硒粉所在加热室内的温度为300～350℃，锗粉所在加热室内的温度为550～620℃，气相生长时间为10～18min；

在进行所述化学气相淀积反应时，从硒粉的一侧通入惰性气体和氢气的混合气体，所述惰性气体的气体流量为40～80sccm，氢气的气体流量为2～16sccm。

2.根据权利要求1所述的一种定向生长的GeSe₂纳米线的制备方法，其特征在于：所述硒粉和锗粉的质量为2～4:1，所述硒粉和锗粉的纯度分别为95～99.9%。

3.根据权利要求2所述的一种定向生长的GeSe₂纳米线的制备方法，其特征在于：所述硒粉和锗粉的质量为2～3:1。

4.根据权利要求1所述的一种定向生长的GeSe₂纳米线的制备方法，其特征在于：所述硒粉和锗粉所在加热室的升温时间相同，且升温时间为10～20min。

5.根据权利要求1所述的一种定向生长的GeSe₂纳米线的制备方法，其特征在于：所述硒粉和锗粉之间的间距为30～40cm。

6.根据权利要求1所述的一种定向生长的GeSe₂纳米线的制备方法，其特征在于：在所述化学气相淀积反应完成后，自然降温至室温后取出样品。

7.一种利用权利要求1～6任一项所述的一种定向生长的GeSe₂纳米线的制备方法制备的GeSe₂纳米线。

8.根据权利要求7所述的一种定向生长的GeSe₂纳米线，其特征在于：所述GeSe₂纳米线为沿着一定方向生长的正交相GeSe₂纳米线结构。