[发明专利]MIM电容器中绝缘体薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202210036753.2 | 申请日： | 2022-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN114388265A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 邓飞;石慧明 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/08 | 分类号： | H01G4/08;H01G4/33;C23C16/34;C23C16/505 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 沈宗晶 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mim 电容器 绝缘体 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种MIM电容器中绝缘体薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
将所述衬底放入反应腔室内，向所述反应腔室通入反应气体；以及
通过等离子体增强化学气相沉积法在所述衬底上沉积形成薄膜；
其中，所述反应气体包括硅源、氮源和稀释气体，所述反应腔室的压力介于1.8Torr～2.0Torr之间，射频的低频功率介于130W～160W之间，所述硅源的流量介于540sccm～660sccm之间，所述氮源的流量介于4950sccm～6050sccm之间，所述稀释气体的第一流量介于8100sccm～9900sccm之间，所述稀释气体的第二流量介于8300sccm～10100sccm之间。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述稀释气体包括氮气。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅源包括硅烷。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氮源包括氨气。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，射频的高频功率介于680W～830W之间。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，沉积形成所述薄膜的时间介于7.7s～9.7s之间。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述薄膜的材质包含四氮化三硅。
8.一种MIM电容器中的绝缘体薄膜，其特征在于，采用如权利要求1～7中任一项所述的MIM电容器中绝缘体薄膜的制备方法制备而成。
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