[发明专利]一种半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210037826.X | 申请日： | 2022-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN116487349A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 汤继峰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张竞存;张颖玲 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
本公开实施例公开了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的衬底内分别形成源区和漏区；接触件，位于所述衬底上；所述接触件包括位于所述衬底上的第一接触件和位于所述第一接触件远离所述衬底一侧的第二接触件；其中，所述第一接触件的底面的面积大于所述第二接触件的顶面的面积。
技术领域
本公开涉及半导体器件的制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。
背景技术
在存储元件的积集度提高与元件尺寸缩小的情况下，元件中的线宽也逐渐缩小，导致元件中核心区域的接触件(Contact)的电阻增大，影响器件性能。
发明内容
有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法。
根据本公开实施例的第一方面，提供了一种半导体结构，包括：
衬底，所述衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的衬底内分别形成源区和漏区；
接触件，位于所述衬底上；所述接触件包括位于所述衬底上的第一接触件和位于所述第一接触件远离所述衬底一侧的第二接触件；其中，
所述第一接触件的底面的面积大于所述第二接触件的顶面的面积。
在一些实施例中，还包括：
硅化物层，所述硅化物层位于所述源区和所述漏区的衬底上，其中，所述硅化物层远离所述衬底一侧设置有所述接触件。
在一些实施例中，所述栅极结构远离所述衬底一侧设置有所述接触件。
在一些实施例中，所述第一接触件的底面的面积是所述第二接触件的顶面的面积的2-4倍。
在一些实施例中，沿垂直于所述衬底平面的方向上，所述第一接触件的高度是所述第二接触件的高度的2-4倍。
在一些实施例中，在平行于所述衬底平面的截面内，所述第一接触件的截面积为第一截面积，所述第二接触件的截面积为第二截面积；
沿垂直于所述衬底平面的方向，所述第一截面积和所述第二截面积不变。
在一些实施例中，在平行于所述衬底平面的截面内，所述第一接触件的截面积为第一截面积，所述第二接触件的截面积为第二截面积；
沿垂直于所述衬底平面且逐渐远离所述衬底的方向，所述第一截面积和所述第二截面积逐渐减小。
根据本公开实施例的第二方面，提供了一种半导体结构的制备方法，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的衬底内分别形成源区和漏区；
在所述衬底上形成接触件；所述接触件包括位于所述衬底上的第一接触件和位于所述第一接触件远离所述衬底一侧的第二接触件；其中，
所述第一接触件的底面的面积大于所述第二接触件的顶面的面积。
在一些实施例中，在形成所述接触件之前，所述方法还包括：
在所述源区和所述漏区的衬底上形成硅化物层；其中，所述硅化物层远离所述衬底一侧设置有所述接触件。
在一些实施例中，所述栅极结构远离所述衬底一侧设置有所述接触件。
在一些实施例中，所述在所述衬底上形成接触件；包括：
在所述衬底上依次形成层间介质层和掩膜层；
刻蚀所述层间介质层和掩膜层，形成通孔；
填充所述通孔，形成接触件预层；
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