[发明专利]一种半导体激光器的外延生长方法

权利要求书

1.一种半导体激光器的外延生长方法，包括：

制备外延片，其中，所述外延片按照预设方向至少包括下波导层、量子阱有源区、上波导层、上限制层和欧姆接触层；

依次对所述上限制层和所述欧姆接触层进行部分刻蚀，露出所述上波导层的上表面；

在所述露出所述上波导层的上表面上外延生长掺杂材料层，得到外延生长后的外延片；

对所述外延生长后的外延片进行预处理，得到预处理后的外延片，其中，所述预处理用于形成非吸收窗口；

对所述预处理后的外延片进行刻蚀，刻蚀掉所述掺杂材料层，再次露出所述上波导层的上表面；

在所述再次露出所述上波导层的上表面上再次依次外延生长所述上限制层和所述欧姆接触层；

其中，所述外延生长方法发生在同一反应腔室内。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述对所述外延生长后的外延片进行预处理，得到预处理后的外延片，其中，所述预处理用于形成非吸收窗口包括：

在所述反应腔室内对所述外延生长后的外延片进行退火处理，通过杂质扩散的方式形成所述非吸收窗口，得到所述预处理后的外延片。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述退火处理的退火温度和退火时间根据所述外延片的材料以及所述量子阱有源区进行蓝移时所需蓝移量的大小确定。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非吸收窗口位于所述下波导层、所述量子阱有源区和所述上波导层之中。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述外延生长的方法包括金属有机化合物化学气相沉积。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述制备外延片包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长缓冲层、下限制层、所述下波导层、所述量子阱有源区、所述上波导层、所述上限制层以及所述欧姆接触层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述制备外延片还包括：

在所述欧姆接触层上表面外延生长掩膜层，用于保护所述上限制层和所述欧姆接触层的除所述部分刻蚀之外的其他部分；其中，所述掩膜层的材料包括二氧化硅或氮化硅；所述掩膜层的厚度为50nm～500nm。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述量子阱有源区的材料包括以下至少之一：InGaAsP/AlGaAs、AlGaInAs/AlGaAs、GaInAs/GaAsP、GaInAsP/AlGaInP。

9.根据权利要求1所述方法，其中，所述掺杂材料层的材料包括p型砷化镓，其中掺杂浓度为1×10¹⁸～2×10²⁰cm^-3。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述刻蚀的方法包括原位刻蚀；其中所述原位刻蚀采用的气体包括由主刻蚀气体和用作光滑剂的气体组成的混合气体。