[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的方法，其特征在于，包含：

形成缓冲层于基底上；

形成阻障层于该缓冲层上；

形成P型半导体层于该阻障层上；

形成压缩应力层于该P型半导体层一侧；以及

形成拉伸应力层于该P型半导体层另一侧。

2.如权利要求1所述的方法，还包含：

形成保护层于该P型半导体层上；

形成该压缩应力层于该保护层以及该阻障层上；

去除部分该压缩应力层；

形成栅极电极于该保护层上；

形成该拉伸应力层于该阻障层、该栅极电极以及该压缩应力层上；

去除部分该拉伸应力层；以及

形成源极电极于该栅极电极一侧；以及

形成漏极电极于该栅极电极另一侧。

3.如权利要求2所述的方法，其中该拉伸应力层设于该栅极电极以及该源极电极之间。

4.如权利要求2所述的方法，其中该压缩应力层设于该栅极电极以及该漏极电极之间。

5.如权利要求1所述的方法，其中该压缩应力层包含氮化硅。

6.如权利要求1所述的方法，其中该拉伸应力层包含氮化硅。

7.一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)，其特征在于，包含：

缓冲层，设于基底上；

阻障层，设于该缓冲层上；

P型半导体层，设于该阻障层上；

压缩应力层，设于该P型半导体层一侧；以及

拉伸应力层，设于该P型半导体层另一侧。

8.如权利要求7所述的高电子迁移率晶体管，还包含：

保护层，设于该P型半导体层上；

栅极电极，设于该保护层上；以及

源极电极以及漏极电极，设于该栅极电极两侧。

9.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中该拉伸应力层设于该栅极电极以及该源极电极之间。

10.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中该压缩应力层设于该栅极电极以及该漏极电极之间。

11.如权利要求7所述的高电子迁移率晶体管，其中该压缩应力层包含氮化硅。

12.如权利要求7所述的高电子迁移率晶体管，其中该拉伸应力层包含氮化硅。