[发明专利]图像传感器的形成方法以及图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，形成第一掺杂区；

先于所述第一掺杂区内形成若干平行的第一沟槽,所述第一沟槽的长度方向为第一方向，于第一沟槽内外延填充第二掺杂材料，形成第一隔离结构；

再于所述第一类型掺杂区内形成若干平行的第二沟槽，所述第二沟槽的长度方向为第二方向，于第二沟槽内外延填充第二掺杂材料，形成第二隔离结构；

其中，所述第一方向与第二方向互不平行，所述第一隔离结构与第二隔离结构交叉并将所述第一掺杂区分隔成若干光电二极管结构。

2.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一方向或第二方向为第一掺杂区的晶向方向。

3.根据权利要求2所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂区的表面为(001)晶面，所述第一方向和第二方向为第一掺杂区的100方向。

4.根据权利要求2所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂区的表面为(001)晶面，所述第一方向和第二方向为第一类型掺杂区的110方向。

5.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一方向与第二方向相互垂直 。

6.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，采用外延生长法于所述第一沟槽或第二沟槽内填充第二掺杂材料，形成第二掺杂层。

7.根据权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在第一沟槽或第二沟槽内填充第二掺杂材料之前，还包括采用外延生长法于所述第一沟槽内表面或第二沟槽内表面形成本征材料层的步骤。

8.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：在所述半导体衬底与所述第一类型掺杂区之间，形成底部隔离层的步骤，所述底部隔离层的掺杂类型与第一掺杂区不同。

9.根据权利要求8所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：于所述半导体衬底与所述底部隔离层之间形成第一缓冲层的步骤，以及于所述底部隔离层与第一掺杂区之间形成第二缓冲层的步骤。

10.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，于所述第一掺杂区内形成第一沟槽或第二沟槽的步骤包括：

于所述第一掺杂区之上形成图形化介质层，所述图形化介质层具有沿第一方向延伸或沿第二方向延伸的开口；

以所述图形化介质层为硬掩膜层，于所述第一掺杂区内形成第一沟槽或第二沟槽。

11.根据权利要求10所述的图像传感器的形成方法， 其特征在于，所述第一沟槽或第二沟槽垂直延伸至所述第一掺杂区内。

12.据权利要求8所述的图像传感器的形成方法， 其特征在于，所述第一沟槽或第二沟槽垂直穿过所述第一掺杂区并延伸至所述底部隔离层内。

13.根据权利要求9所述的图像传感器的形成方法， 其特征在于，所述第一沟槽或第二沟槽垂直穿过所述第一掺杂区并延伸至所述第一缓冲层内。

14.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽在第一方向上贯穿整个像素区域；所述第二沟槽在第二方向上贯穿整个像素区域。

15.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂区的掺杂类型为N型，第二掺杂材料的掺杂类型为P型；或所述第一掺杂区的掺杂类型为P型，第二掺杂材料的掺杂类型为N型。