[发明专利]半导体结构和其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一硅穿孔，该硅穿孔接触一基板；以及

一金属环结构，该金属环结构横向环绕该硅穿孔，其中该金属环结构包括：

一或多个金属环排列成一堆叠；以及

一或多个金属通孔夹于该一或多个金属环之中的两邻近金属环之间，其中该金属环结构通过一或多个导电结构电性耦合至该基板。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该一或多个金属环的各个金属环包括非平滑的内表面。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该一或多个金属环的各个金属环在该金属环的表面上包括一凸起，其中该凸起包括三角形、长方形、半圆形或梯形形状。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该基板电性耦合至接地电位。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该一或多个金属环的一第一金属环和一第二金属环包括彼此非对齐的内表面。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该一或多个金属环的各个金属环的至少一表面接触该一或多个金属通孔的至少一金属通孔。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该一或多个金属环的至少一金属环包括一顶表面和一底表面，其中：

该顶表面接触该一或多个金属环的其他金属环；以及

该底表面接触该一或多个金属通孔的至少一金属通孔。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该一或多个金属环的至少一金属环包括一顶表面和一底表面，其中：

该顶表面接触一其他金属环；以及

该底表面接触一另一其他金属环。

9.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一基板；

一介电层形成在该基板上；

多个互连件形成在该介电层中；

一硅穿孔形成在该介电层中并且接触该基板；以及

一或多个金属环彼此电性耦合并且横向环绕该硅穿孔，其中：

该一或多个金属环的各个金属环和该些互连件中的一互连件形成在相同的层级；以及

该一或多个金属环的一底部金属环接触一导电结构，其中该导电结构电性耦合至该基板。

10.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包括：

形成一晶体管结构在一半导体基板上，其中该半导体基板电性耦合至一接地电位；

形成一互连件在该晶体管结构上；

形成一金属环结构，包括：

蚀刻一介电层以形成一环形开口，其中该环形开口暴露该互连件的一部分；以及

沉积一导电金属在该环形开口中和在暴露的该互连件的该部分上；以及

形成一硅穿孔在该金属环结构的中心，其中该金属环结构配置成吸收从该硅穿孔所产生的一电荷以及通过该互连件和该晶体管结构释放所吸收的该电荷至该接地电位。