[发明专利]芯片突变电压测试方法、装置及存储介质

说明书

本发明公开了一种芯片突变电压测试方法、装置及存储介质，芯片突变电压测试方法包括：获取预设标准芯片的电容突变相关值，电容突变相关值为以预设扫描步长扫描预设标准芯片获取；获取测试芯片的预设总步数；根据所述电容突变相关值和所述预设总步数采用预设算法，确定测试芯片的突变电压值。相较于传统逐次扫描电压的方式，测试过程简单，极大降低扫描次数，缩小测试时间，大幅度提高芯片突变电压的测试效率，甚至可以更快的测试整卡lot的良率，适用于大规模量产，且适用于所述MEMS测突变电容产品。

技术领域

本发明涉及芯片测试技术领域，尤其涉及一种芯片突变电压测试方法、装置及存储介质。

背景技术

MEMS电容产品在晶圆测试（Chip Probing，CP）时，晶圆上每一个芯片电容是否发生突变（pullin）是衡量芯片良率的好坏标准。传统方式是通过加扫描电压逐次扫描芯片，测试当前点的电容值，并计算当前点电容值与前一个点电容值的变化量是否大于预设电容阈值，如果变化量大于预设电容阈值，则认为当前点电容发生突变，当前电压为突变电压；如果变化量小于预设电容阈值，则增加扫描电压，直至检测到电容发生突变或者扫描到结束电压为止。

此种加扫描电压逐次扫描测试方式，扫描次数多、时间长、效率低，即使缩小扫描电压范围，扫描次数依然较多，并不适用于大规模量产。

发明内容

基于此，有必要针对上述背景技术中的问题，提供一种芯片突变电压测试方法、装置及存储介质，通过采用预设二分法测试突变电压值，相较于传统逐次扫描的方式，极大降低扫描次数，缩小测试时间，大幅度提升测试效率。

为解决上述技术问题，本申请的第一方面提出一种芯片突变电压测试方法，包括：

获取预设标准芯片的电容突变相关值，所述电容突变相关值为以预设扫描步长扫描所述预设标准芯片获取；

获取测试芯片的预设总步数；

根据所述电容突变相关值和所述预设总步数采用预设算法，确定所述测试芯片的突变电压值。

于上述实施例中提供的芯片突变电压测试方法中，通过获取预设标准芯片的电容突变相关值和测试芯片的预设总步数，其中，电容突变相关值为以预设扫描步长扫描预设标准芯片获取；并根据电容突变相关值和预设总步数采用预设算法，从而确定测试芯片的突变电压值，测试过程简单，极大降低扫描次数，缩小测试时间，相较于传统逐次扫描电压的方式，大幅度提高芯片突变电压的测试效率，适用于大规模量产。

在其中一个实施例中，所述根据所述电容突变相关值和所述预设总步数采用预设算法，确定所述测试芯片的突变电压值，包括：

获取零点电容值及目标突变电压值；

根据所述零点电容值、所述目标突变电压值、所述预设扫描步长、所述电容突变相关值及所述预设总步数采用预设二分法，得到所述突变电压值。

在其中一个实施例中，所述预设总步数为n，n＞2，且n为整数，所述预设扫描步长为step；所述采用预设二分法，得到所述突变电压值，包括：

将所述目标突变电压值确定为第一扫描电压值，并获取与所述第一扫描电压值对应的第一扫描电容值；

根据所述第一扫描电容值和所述电容突变相关值与所述零点电容值的乘积的比较结果，确定第i扫描电压值，1＜i≤n，i为整数；

获取与所述第i扫描电压值对应的第i扫描电容值；

根据所述第i扫描电容值和所述电容突变相关值与所述零点电容值的乘积的比较结果，确定所述突变电压值。

在其中一个实施例中，所述确定第i扫描电压值，包括：

判断第i-1扫描电容值是否大于所述电容突变相关值与所述零点电容值的乘积；