[发明专利]存内计算单元、模块和系统在审
申请号: | 202210046432.0 | 申请日: | 2022-01-13 |
公开(公告)号: | CN114546332A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 杨展悌;苏炳熏;叶甜春;朱纪军;李彬鸿;罗军;赵杰 | 申请(专利权)人: | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术(广东)有限公司 |
主分类号: | G06F7/544 | 分类号: | G06F7/544 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 成亚婷 |
地址: | 510000 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 计算 单元 模块 系统 | ||
1.一种存内计算单元,其特征在于,所述存内计算单元包括:
存储阵列,包含多个呈N行N列排布的存储单元,位于第i行第j列的所述存储单元记为Si,j;位于同一列的所述存储单元中存储的数据值相同;所述存储阵列用于存储N比特的第一数据;其中,N大于等于1,i大于等于1且小于等于N,j大于等于1且小于等于N;其中,所述存储单元包括门控访问元件和存储元件,所述存储单元的控制端为所述门控访问元件的栅极;所述存储单元的输出端为所述门控访问元件的漏极;
N条字线,所述字线用于输入N比特的第二数据;位于同一行所述存储单元的控制端经由同一条所述字线依次串接;
M个位线组,第k组位线记为位线组BLk,M等于2N-1,k大于等于1且小于等于M;
其中,当k大于等于1且小于等于N时,位线组BLk具有k条位线,k条所述位线分别连接至和存储单元S1,k及存储单元Sk,1位于同一直线上的各存储单元的输出端;
当k大于N且小于等于M时,位线组BLk具有2N-k条位线,2N-k条所述位线分别连接至和存储单元Sk-N+1,N及存储单元SN,k-N+1位于同一直线上的各存储单元的输出端。
2.根据权利要求1所述的存内计算单元,其特征在于,所述存储单元包括易失性存储器。
3.根据权利要求1所述的存内计算单元,其特征在于,所述门控访问元件包括晶体管,所述存储元件包括锁存器。
4.根据权利要求3所述的存内计算单元,其特征在于,所述第一数据所述第二数据均为二进制数据,所述锁存器用于存储比特值0或1。
5.根据权利要求4所述的存内计算单元,其特征在于,当所述字线上的电压大于等于预设电压,则所述字线上的比特值为1,与所述字线串接的各个所述存储单元的所述门控访问元件导通;
当所述字线上的电压小于所述预设电压,则所述字线上的比特值为0,与所述字线串接的各个所述存储单元的所述门控访问元件关断。
6.根据权利要求1-5任一项所述的存内计算单元,其特征在于,所述存内计算单元还包括:
M-2个比特编码器,所述M-2个比特编码器与第2至第M-1个位线组一一对应连接,所述比特编码器用于将所述位线组的输出信号进行编码,以得到数字信号。
7.根据权利要求6所述的存内计算单元,其特征在于,所述存储单元包括SRAM存储器。
8.根据权利要求7所述的存内计算单元,其特征在于,所述存储单元采用全耗尽绝缘体上硅工艺制备得到。
9.一种存内计算模块,包括一个或多个权利要求1-8中任一项所述的存内计算单元。
10.一种存内计算系统,包括一个或多个权利要求9所述的存内计算模块。
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