[发明专利]一种CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置

权利要求书

1.一种CMOS器件的电气过应力EOS失效率的预测方法，其特征在于，所述预测方法包括：

确定所述CMOS器件的基础EOS失效率；

确定在所述CMOS器件的全部工艺环节中影响EOS失效率的影响因子；

获取针对每一影响因子进行EOS失效率评价的评价结果，并基于该评价结果确定示出所述影响因子对所述EOS失效率的影响程度的权重值，其中所述权重值越大表示所述影响因子对所述EOS失效率的影响程度越大，其中，所述获取针对每一影响因子进行EOS失效率评价的结果，包括：

对每一影响因子进行适应于预设的一个或多个EOS失效率评价条目的测试，并将测试结果与针对相应条目预设的评价标准进行适配，并根据适配程度确定所述影响因子在相应条目下的EOS失效率得分，其中所述适配程度越高，所述失效率得分越低；

汇总每一影响因子的所有EOS失效率评价条目下的EOS失效率得分，以作为所述影响因子的EOS失效率评价的评价结果；

基于所述基础EOS失效率和各个所述影响因子对应的权重值，采用如下公式建立针对所述EOS失效率的预测模型，以得到所述CMOS器件的EOS失效率的预测值：

其中，为所述CMOS器件的基础EOS失效率, 为所述CMOS器件的EOS失效率的预测值，为芯片级静电释放ESD及闩锁Latch UP设计因子的权重值，为芯片级静电释放ESD测试质量因子的权重值，为集成电路静电释放ESD控制因子的权重值，为系统级电磁兼容EMC测试质量因子的权重值，为印制电路板PCB原理图设计因子的权重值，为印制电路板PCB布局布线设计因子的权重值，为系统设备级电磁兼容EMC设计因子的权重值，为现场应用气候环境因子的权重值，为现场应用电磁环境因子的权重值。

2.根据权利要求1所述的预测方法，其特征在于，所述确定所述CMOS器件的基础EOS失效率，包括：

根据对所述CMOS器件进行EOS实验的实验数据或者对所述CMOS器件进行现场检测的现场返还数据，确定所述CMOS器件的基础EOS失效率。

3.根据权利要求1所述的预测方法，其特征在于，采用如下公式基于该评价结果确定示出所述影响因子对EOS失效率的影响程度的权重值：

其中，为所述影响因子的权重值，为针对所述影响因子的每个评价条目的EOS失效率得分，为评价条目的数量，为所述评价条目下的EOS失效率得分的最大值。

4.根据权利要求1至3任一项所述的预测方法，其特征在于，所述影响因子包括以下中的一者或多者：芯片级静电释放ESD及闩锁Latch UP设计因子、芯片级静电释放ESD测试质量因子、集成电路静电释放ESD控制因子、系统级电磁兼容EMC测试质量因子、印制电路板PCB原理图设计因子、PCB布局布线设计因子、系统设备级电磁兼容EMC设计因子、现场应用气候环境因子和现场应用电磁环境因子。