[发明专利]一种立体复数堆叠外延结构芯片有效
| 申请号： | 202210047581.9 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN114388615B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 谢炎璋 | 申请（专利权）人： | 东莞源礼灯饰有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 东莞众业知识产权代理事务所(普通合伙) 44371 | 代理人： | 何恒韬 |
| 地址： | 523000 广东省东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 立体 复数 堆叠 外延 结构 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种立体复数堆叠外延结构芯片，其特征在于，所述立体复数堆叠外延结构芯片采用背对背堆叠模式结构；所述立体复数堆叠外延结构芯片从上至下依次包括第一AlGaN阻挡层、第一2DEG二维电子层、第一厚GaN层、第一III-N缓冲GaN层、高阻值防漏电绝缘层、第二III-N缓冲GaN层、第二厚GaN层、第二2DEG二维电子层以及第二AlGaN阻挡层；
所述第一III-N缓冲GaN层和所述第二III-N缓冲GaN层中含有Al和Si元素的氮化物材料；
所述高阻值防漏电绝缘层采用外延技术生成，所述高阻值防漏电绝缘层包含Al和Si元素的氮化物材料；
所述第一厚GaN层和第二厚GaN层包含Al和Si元素的氮化物材料；
所述第一2DEG二维电子层和第二2DEG二维电子层采用外延技术生成；
所述立体复数堆叠外延结构芯片的上端和下端，分别设置有源极、单栅极和漏极。
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