[发明专利]一种抑制MAX相中A元素晶须生长的方法

权利要求书

1.一种抑制MAX相中A位元素晶须生长的方法，其特征在于，利用A’元素对MAX相中的A位进行固溶处理，得到MAX相固溶体；所述MAX相固溶体经过机械损伤处理后A’元素在MAX相表面形成氧化膜；

所述A’元素为Al、Si、Ir或Ge中的一种；所述A位 元素为Sn、In、Ga、Zn、Cd、Tl或Pb中的一种。

2.根据权利要求1所述的抑制MAX相中A位元素晶须生长的方法，其特征在于，所述A’元素在MAX相A位原子层中的浓度为5.0~99.9 at%。

3.根据权利要求1所述的抑制MAX相中A位元素晶须生长的方法，其特征在于，所述MAX相为Ti₂SnC、Zr₂SnC、Nb₂SnC、Lu₂SnC、Hf₂SnC、Hf₂SnN、Ti₃SnC₂、Ti₂InC、Ti₂InN、Zr₂InC、Zr₂InN、Nb₂InC、Hf₂InC、Sc₂InC、Ti₃InC₂、Ti₂GaC、Ti₂GaN、V₂GaC、V₂GaN、Cr₂GaC、Gr₂GaN、Nb₂GaC、Mo₂GaC、Ta₂GaC、Sc₂GaC、Ti₃GaC₃、Ti₂ZnC、Ti₂ZnN、V₂ZnC、Ti₃ZnC₂、Ti₂CdC、Ti₂TlC、Zr₂TlC、Zr₂TlN、Hf₂TlC、Sc₂TlC、Hf₂PbC、Ti₂PbC或Zr₂PbC中的一种。

4.根据权利要求1所述的抑制MAX相中A位元素晶须生长的方法，其特征在于，所述机械损伤的方式为断裂、打磨、划伤、抛光或球磨中的一种。

5.根据权利要求1所述的抑制MAX相中A位元素晶须生长的方法，其特征在于，所述MAX相固溶体经损伤处理后，抑制晶须生长的适用培养条件为：温度范围为低于MAX相的热解温度，湿度为0~100%。