[发明专利]基于超低损超薄取向硅钢磁芯的中频心式隔离变压器在审
| 申请号： | 202210048759.1 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN114464416A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 曾嵘;赵彪;崔彬;胡家亮;屈鲁;余占清 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01F27/245 | 分类号： | H01F27/245;H01F27/30;H01F27/34 |
| 代理公司： | 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11594 | 代理人： | 张迎新 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 超低损 超薄 取向 硅钢 中频 隔离变压器 | ||
1.基于超低损超薄取向硅钢磁芯的中频心式隔离变压器，其特征在于，包括：磁芯，所述磁芯包括平行并列设置且结构相同的取向硅钢片，
其中，
每片所述取向硅钢片自身搭接成一个回字形回路；
所述回字形回路中心的空窗构成磁芯内窗口，所述回字形回路的外沿构成磁芯外窗口，所述回字形回路的两侧在所述磁芯内窗口和磁芯外窗口之间构成侧柱；
所述侧柱上缠绕有绕组。
2.根据权利要求1所述的基于超低损超薄取向硅钢磁芯的中频心式隔离变压器，其特征在于，
所述磁芯内窗口面积为：250mm×600mm至400mm×800mm；
所述磁芯外窗口面积为：500mm×900mm至700mm×1100mm。
3.根据权利要求2所述的基于超低损超薄取向硅钢磁芯的中频心式隔离变压器，其特征在于，
所述磁芯内窗口面积为：330mm×730mm；
所述磁芯外窗口面积为：610mm×1010mm。
4.根据权利要求3所述的基于超低损超薄取向硅钢磁芯的中频心式隔离变压器，其特征在于，
所述磁芯的截面积为：0.025-0.072m2，长250-360mm，宽100-200mm。
5.根据权利要求4所述的基于超低损超薄取向硅钢磁芯的中频心式隔离变压器，其特征在于，
所述磁芯的截面积为：0.042m2，长300mm，宽140mm。
6.根据权利要求1-5任一所述的基于超低损超薄取向硅钢磁芯的中频心式隔离变压器，其特征在于，
所述侧柱包括：第一侧柱和第二侧柱；
所述绕组包括：第一绕组和第二绕组；
所述第一侧柱上缠绕有第一绕组，所述第二侧柱上缠绕有第二绕组；
所述第一绕组和第二绕组串联。
7.根据权利要求6所述的基于超低损超薄取向硅钢磁芯的中频心式隔离变压器，其特征在于，
所述绕组为20-40匝，所述第一绕组和第二绕组均为10-20匝。
8.根据权利要求7所述的基于超低损超薄取向硅钢磁芯的中频心式隔离变压器，其特征在于，
所述绕组为32匝，所述第一绕组和第二绕组均为16匝。
9.根据权利要求8所述的基于超低损超薄取向硅钢磁芯的中频心式隔离变压器，其特征在于，
所述绕组中，原边绕组总计32匝，等分成2组绕组各16匝，所述2组绕组分别绕制在所述第一侧柱和第二侧柱上，所述绕组的绕制都采用铜排进行串联连接，副边绕制同理。
10.根据权利要求9所述的基于超低损超薄取向硅钢磁芯的中频心式隔离变压器，其特征在于，
所述绕组为铜箔绕组。
11.根据权利要求10所述的基于超低损超薄取向硅钢磁芯的中频心式隔离变压器，其特征在于，
所述铜箔绕组尺寸为：0.3mm×300mm至0.8mm×800mm。
12.根据权利要求11所述的基于超低损超薄取向硅钢磁芯的中频心式隔离变压器，其特征在于，
所述铜箔绕组尺寸为：0.5mm×550mm。
13.根据权利要求12所述的基于超低损超薄取向硅钢磁芯的中频心式隔离变压器，其特征在于，
所述铜箔绕组的材料为紫铜。
14.根据权利要求1-5,7-13任一所述的基于超低损超薄取向硅钢磁芯的中频心式隔离变压器，其特征在于，
所述取向硅钢片为B20R75硅钢片，相邻所述取向硅钢片紧邻设置。
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