[发明专利]提高晶体质量的发光二极管外延片制备方法在审
| 申请号： | 202210050040.1 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN114583019A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 尹涌;易丁丁;张琰琰;陆香花 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 晶体 质量 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
1.一种提高晶体质量的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述提高晶体质量的发光二极管外延片制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上沉积基础AlN层；
在所述基础AlN层上沉积石墨烯层；
对所述基础AlN层进行退火处理；
剥离所述基础AlN层的表面的所述石墨烯层；
在所述基础AlN层上依次生长n型层、发光层与p型层。
2.根据权利要求1所述的提高晶体质量的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述石墨烯层的厚度为50～500nm。
3.根据权利要求1所述的提高晶体质量的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，激光剥离所述基础AlN层的表面的所述石墨烯层。
4.根据权利要求1～3任一项所述的提高晶体质量的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，采用物理气相沉积设备在所述衬底上沉积基础AlN层，所述基础AlN层的沉积温度为550～650℃。
5.根据权利要求4所述的提高晶体质量的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述基础AlN层的厚度为10～500nm。
6.根据权利要求1～3任一项所述的提高晶体质量的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，在温度为1600～1800℃的条件下对所述基础AlN层进行退火处理。
7.根据权利要求6所述的提高晶体质量的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，在温度为1600～1800℃的条件下对所述基础AlN层退火处理2.5～3.5h。
8.根据权利要求1～3任一项所述的提高晶体质量的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述提高晶体质量的发光二极管外延片制备方法还包括：剥离所述基础AlN层的表面的所述石墨烯层后，在所述基础AlN层上依次生长n型层、发光层与p型层之前，
在所述基础AlN层上生长AlN过渡层。
9.根据权利要求8所述的提高晶体质量的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述AlN过渡层的厚度为1.5～2.5微米。
10.根据权利要求8所述的提高晶体质量的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述AlN过渡层的生长温度为1300～1400℃。
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