[发明专利]一种超宽带高功率星用环行器有效
| 申请号： | 202210051898.X | 申请日： | 2022-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN114374066B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 王斌;蒋运石;马军伟;王檠;翟宗民;袁兴武 | 申请（专利权）人： | 西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所） |
| 主分类号： | H01P1/38 | 分类号： | H01P1/38 |
| 代理公司： | 绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙) 51235 | 代理人： | 黎仲 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 宽带 功率 环行器 | ||
【权利要求书】：
1.一种超宽带高功率星用环行器，依次包括折叠双T段、差相位段和3dB电桥段，所述差相位段腔体内设置有铁氧体基片，其特征在于：在所述折叠双T段的波导窄边方向设置至少两阶阻抗匹配台阶，并在所述折叠双T段的腔体内部采用至少两个多层调谐匹配台；在所述差相位段采用非标准矩形波导尺寸；在所述差相位段的腔体内，所述铁氧体基片上下非对称设置，所述上下非对称设置为斜对角设置，上下两个铁氧体在垂直方向的投影不重叠。
2.根据权利要求1所述的超宽带高功率星用环行器，其特征在于：在所述3dB电桥段宽边方向加载三阶及以上的阻抗匹配，并在所述3dB电桥段的腔体内部引入单脊波导的传输模式。
3.根据权利要求1所述的超宽带高功率星用环行器，其特征在于：在所述铁氧体基片表面涂覆一层非金属材料。
4.根据权利要求3所述的超宽带高功率星用环行器，其特征在于：所述涂覆的方法为厚膜、薄膜或高温烧结。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所），未经西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210051898.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
