[发明专利]一种设施栽培樱桃高密度早丰产的管理方法

权利要求书

1.一种设施栽培樱桃高密度早丰产的管理方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

容器选择与基质栽培：容器选择PVC材质且为黑色带底盘的控根容器，且基质选择以无害化处理的水洗牛粪为主要原料并按比例混合河沙及蛭石，备用；

苗木栽植：选择吉塞拉6号砧木嫁接的1年生甜樱桃苗木，并在12月10日进行栽植；

栽植后至萌芽前的管理：甜樱桃苗木栽植后将苗木整株放置在包含日光的温室内，且放置密度为株距50cm，行距160cm，每亩栽植833株，同时对每个控根容器完成2个长度为10cm的滴箭的放置处理，滴箭出水流量设置为3L/小时，并使用0.006mm厚度的无色地膜对控根容器的上端口进行全部覆盖处理；

萌芽期的管理：若甜樱桃苗木的芽体变绿，则将甜樱桃苗木定干至高度100cm，并使用0.006mm厚度的无色地膜对控根容器的上端口进行全部覆盖处理；

定干处与第1个叶芽的距离≥2.5cm，且将定干处下面第2、第3、第5及第6叶芽抹除，并保留第4及第7叶芽，对第10叶芽及其下面叶芽均涂抹复配植物生长调节剂，其中，复配植物生长调节剂的有效成分浓度分别为6-BA（550mg/Kg）+GA（65mg/Kg）；该时期设置温室内白天温度≤23℃，夜间温度≥10℃，空气湿度60%，基质湿度65%；

新稍期的管理：对甜樱桃苗木的侧枝新稍及中心领导干新稍进行剪除，并使用0.008mm厚度的黑色地膜对控根容器的上端口和侧面进行全部覆盖处理；

新稍停长期的管理：对每株甜樱桃苗木施用20g磷酸二氢钾，并使用0.008mm厚度的黑色地膜对控根容器的上端口和侧面进行全部覆盖处理，其中，该时期设置温室内白天温度≤28℃，夜间温度≥15℃，空气湿度60%，基质湿度55%；

落叶后树体结构参数：树高150cm，主干着生8-12个结果枝，且结果枝长为25-30cm，粗度为0.8-1.3cm，开张角度为70-80度，每个结果枝叶花芽数量为5-8个；

休眠期的管理：设定11月20日开始进入休眠管理时间，该时期白天覆盖保温遮光棉被，夜间卷起保温遮光棉被；

开始升温至萌芽前的管理：设定12月25日开始进入升温管理时间，该时期使用0.006mm厚度的无色地膜对控根容器的上端口进行全部覆盖处理；

萌芽期至谢花期的管理：使用滴管系统且间隔7-10天对每株甜樱桃苗木补充20克水溶性复合肥，在盛花期喷施复配植物生长调节剂，同时间隔15-18天后再喷一次，并使用0.008mm厚度的黑色地膜对控根容器的上端口和侧面进行全部覆盖处理；

谢花期至成熟期的管理：使用滴管系统且间隔7-10天对每株甜樱桃苗木补充30克磷酸二氢钾+5克中微量元素肥料，并使用0.008mm厚度的黑色地膜对控根容器的上端口和侧面进行全部覆盖处理；

所述对甜樱桃苗木的侧枝新稍及中心领导干新稍进行剪除还包括以下步骤：

若侧枝新稍生长至10cm，则在新稍的中部放置重量为25g的不锈钢夹子，并利用重力作用增大新稍与主干的夹角至60-70度；

若侧枝新稍生长至20cm，则将顶端新稍剪除0.3-0.5cm；

若侧枝新稍分别生长至25cm或30cm，则将甜樱桃苗木全株叶片喷施1500mg/Kg浓度多效唑；

当中心领导干新稍分别生长至20cm、30cm或40cm，则均将顶端新稍剪除0.3-0.5cm；

其中，该时期设置温室内白天温度≤25℃，夜间温度≥12℃，空气湿度为60%，基质湿度为65%。

2.根据权利要求1所述的一种设施栽培樱桃高密度早丰产的管理方法，其特征在于，容器选择：容器的直径为40cm，高度为40cm，壁厚为0.8mm；

基质选择：水洗牛粪的颗粒大小为2.0mm-6.0mm，且水洗牛粪、河沙及蛭石之间的比例为5.5：1：1.5。

3.根据权利要求1所述的一种设施栽培樱桃高密度早丰产的管理方法，其特征在于，苗木栽植：苗木规格为嫁接口处粗度≥1.5cm，苗木高度≥150cm。

4.根据权利要求1所述的一种设施栽培樱桃高密度早丰产的管理方法，其特征在于，栽植后至萌芽前的管理：温室内白天温度≤20℃，夜间温度≥8℃，空气湿度≥50%，基质湿度70%。