[发明专利]连接孔的制作方法、半导体器件、存储器及制作方法

权利要求书

1.一种连接孔的制作方法，其特征在于，包括：

提供导电层，以及位于所述导电层上的绝缘层；

在所述绝缘层上依次形成多个中间层和掩膜层，所述掩膜层具有开口；任意相邻两个所述中间层的材料不同；

通过所述开口，依次在所述多个中间层中形成通孔，且在每形成一个通孔后，去除位于所形成的通孔所在的中间层上的膜层；

通过所述通孔，在所述绝缘层中形成连接孔；所述开口、所述通孔和所述连接孔的尺寸依次减小。

2.根据权利要求1所述的连接孔的制作方法，其特征在于，所述连接孔的尺寸小于预设尺寸。

3.根据权利要求1所述的连接孔的制作方法，其特征在于，每个所述中间层的厚度小于或等于预设厚度；在所述掩膜层朝向所述绝缘层的方向上，所述多个中间层的厚度逐渐增大，或者所述多个中间层的厚度相同。

4.根据权利要求1所述的连接孔的制作方法，其特征在于，所述连接孔的尺寸越小，所述中间层的数量越多。

5.根据权利要求1所述的连接孔的制作方法，其特征在于，所述多个中间层包括依次位于所述掩膜层与所述绝缘层之间的第一中间层、第二中间层和第三中间层；

所述通过所述开口，依次在所述多个中间层中形成通孔，且在每形成一个通孔后，去除位于所形成的通孔所在的中间层上的膜层的步骤，包括：

通过所述开口，在所述第一中间层中形成第一通孔，并去除所述掩膜层；

通过所述第一通孔，在所述第二中间层中形成第二通孔，并去除所述第一中间层；

通过所述第二通孔，在所述第三中间层中形成第三通孔，并去除所述第二中间层。

6.根据权利要求5所述的连接孔的制作方法，其特征在于，所述第一中间层与所述第三中间层的材料相同，所述第二通孔包括第一子孔和第二子孔；

所述通过所述第一通孔，在所述第二中间层中形成第二通孔，并去除所述第一中间层的步骤，包括：

通过所述第一通孔，在所述第二中间层中形成所述第一子孔；

去除所述第一中间层；

通过所述第一子孔，在所述第二中间层中形成与所述第一子孔相连通的所述第二子孔。

7.根据权利要求6所述的连接孔的制作方法，其特征在于，所述第一中间层和所述第三中间层的材料均包括碳。

8.根据权利要求5所述的连接孔的制作方法，其特征在于，所述通过所述通孔，在所述绝缘层中形成连接孔的步骤，包括：

通过所述第三通孔，在所述绝缘层中形成所述连接孔，并去除所述第三中间层。

9.根据权利要求8所述的连接孔的制作方法，其特征在于，所述第二中间层与所述绝缘层的材料相同；

所述去除所述第二中间层的步骤与所述在所述绝缘层中形成所述连接孔的步骤同时执行。

10.根据权利要求9所述的连接孔的制作方法，其特征在于，所述第二中间层和所述绝缘层的材料均包括氧化物。

11.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

采用如权利要求1至10任一项所述的连接孔的制作方法在绝缘层中形成连接孔，所述绝缘层位于导电层上；

在所述连接孔中形成连接触点，且所述连接触点与所述导电层连接。

12.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括如权利要求11所述的半导体器件的制作方法。

13.一种半导体器件，其特征在于，包括：

导电层；

绝缘层，位于所述导电层上；

连接孔，贯穿所述绝缘层；所述连接孔通过如权利要求1至10任一项所述的连接孔的制作方法形成；

连接触点，位于所述连接孔中并与所述导电层连接。