[发明专利]一种浅刻蚀多模干涉耦合的多通道平顶型波分复用接收器

权利要求书

1.一种浅刻蚀多模干涉耦合的多通道平顶型波分复用接收器，其特征在于：包括输入波导(1)、锥形输入波导(2)、浅刻蚀多模干涉耦合器结构(3)、n条锥形输出波导(a₁-a_n)和n条输出波导(b₁-b_n)；所述的输入波导(1)一端和锥形输入波导(2)较窄的一端相连，锥形输入波导(2)较宽的一端和浅刻蚀多模干涉耦合器结构(3)的输入端相连，由输入波导(1)和锥形输入波导(2)构成光波收集单元；各条锥形输出波导(a₁-a_n)较宽的一端和浅刻蚀多模干涉耦合器结构(3)输出端相连，所述的锥形输出波导(a₁-a_n)较窄的一端与各自的输出波导(b₁-b_n)一端相连，由浅刻蚀多模干涉耦合器结构(3)和各条锥形输出波导(a₁-a_n)成解复用单元；各条输出波导(b₁-b_n)另一端与n个相同的探测器相连，由各条输出波导(b₁-b_n)和n个探测器构成光波探测单元。

2.根据权利要求1所述的一种浅刻蚀多模干涉耦合的多通道平顶型波分复用接收器，其特征在于：所述的输入波导(1)、锥形输入波导(2)、浅刻蚀多模干涉耦合器结构(3)、锥形输出波导(a₁-a_n)和输出波导(b₁-b_n)均包括硅基衬底(4)、掩埋氧化层(5)、硅基结构层(7)和上包层(6)，其中掩埋氧化层(5)生长于硅基衬底(4)的上表面，上包层(6)覆盖掩埋氧化层(5)的上表面，硅基结构层(7)水平生长于掩埋氧化层(5)的上表面，掩埋氧化层(5)上面和硅基结构层(7)周围均设置上包层(6)进行包覆。

3.根据权利要求2所述的一种浅刻蚀多模干涉耦合的多通道平顶型波分复用接收器，其特征在于：所述的硅基结构层(7)是由两个硅层层叠成脊形构成。

4.根据权利要求1所述的一种浅刻蚀多模干涉耦合的多通道平顶型波分复用接收器，其特征在于：所述的锥形输出波导(a₁-a_n)和锥形输入波导与浅刻蚀多模干涉耦合器结构(3)均有一定夹角。

5.根据权利要求4所述的一种浅刻蚀多模干涉耦合的多通道平顶型波分复用接收器，其特征在于：所述的锥形输入波导(2)的输出端连接在浅刻蚀多模干涉耦合器结构(3)输入端的一角上，锥形输入波导(2)的中轴线和浅刻蚀多模干涉耦合器结构(3)长度方向之间的夹角均小于45度；

所述锥形输出波导(a₁-a_n)的输入端均连接到浅刻蚀多模干涉耦合器结构(3)输入端另一角所在的侧面上，多条锥形输出波导(a₁-a_n)的输入端间隔连接到浅刻蚀多模干涉耦合器结构(3)一侧面上的不同位置处，锥形输出波导(a₁-a_n)的中轴线和浅刻蚀多模干涉耦合器结构(3)长度方向之间的夹角小于45度。

6.根据权利要求1所述的一种浅刻蚀多模干涉耦合的多通道平顶型波分复用接收器，其特征在于：所述的锥形输出波导(a₁-a_n)较窄的一端波导宽度和输出波导(b₁-b_n)的波导宽度均为多模波导宽度。

7.根据权利要求1所述的一种浅刻蚀多模干涉耦合的多通道平顶型波分复用接收器，其特征在于：所述的浅刻蚀多模干涉耦合器结构(3)采用浅刻蚀波导。