[发明专利]一种快速制备高导电石墨烯电磁屏蔽膜的方法

权利要求书

1.一种快速制备高导电石墨烯电磁屏蔽膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）将氧化石墨滤饼配置成氧化石墨悬浮液，并分散均匀，之后真空下搅拌脱除气泡，得到氧化石墨烯分散浆料；

（2）将步骤（1）得到的氧化石墨烯分散浆料均匀涂布在基底上形成氧化石墨烯胚膜，干燥去除水分，随后剥离基底得到氧化石墨烯膜；

（3）在空气环境下，采用红外对步骤（2）得到的氧化石墨烯膜进行照射，随后在惰性气氛保护下，升温到1500℃保温0.5~2 h，自然降温后得到石墨烯泡沫；

（4）将步骤（3）中的石墨烯泡沫压延成膜后即得；

步骤（3）中，采用表面温度达300~400 ℃的红外灯对氧化石墨烯膜进行照射5~20秒。

2.根据权利要求1所述的快速制备高导电石墨烯电磁屏蔽膜的方法，其特征在于，步骤（1）中，所述氧化石墨滤饼的平均尺寸大于100 μm，配置成浓度为5~40 mg/mL的氧化石墨悬浮液，并加入氨水调节pH值至7~8。

3.根据权利要求1所述的快速制备高导电石墨烯电磁屏蔽膜的方法，其特征在于，步骤（1）中，以10~20 m/s 的线速度在高速剪切分散机中分散0.5~2 h，使大尺寸氧化石墨剥离成氧化石墨烯；采用真空搅拌机，在–0.1 MPa真空辅助下，以1~5 m/s的线速度缓慢搅拌直至气泡完全脱除。

4.根据权利要求1所述的快速制备高导电石墨烯电磁屏蔽膜的方法，其特征在于，步骤（2）中，所述的基底为聚对苯二甲酸乙二醇酯，氧化石墨烯胚膜在基底上的厚度为1~5 mm。

5.根据权利要求1所述的快速制备高导电石墨烯电磁屏蔽膜的方法，其特征在于，步骤（2）中，在30~70 ℃下干燥6~8 h去除水分，剥离基底得到膜厚为10~200 μm的氧化石墨烯膜。

6.根据权利要求1所述的快速制备高导电石墨烯电磁屏蔽膜的方法，其特征在于，步骤（3）中，以10~20 ℃ /min的速率升温到1500 ℃。

7.根据权利要求1所述的快速制备高导电石墨烯电磁屏蔽膜的方法，其特征在于，步骤（4）中，采用压延机将石墨烯泡沫压延成膜，压力为2~50 MPa。

8.权利要求1~7中任意一项制备方法制备得到的高导电石墨烯电磁屏蔽膜。

9.根据权利要求8所述的高导电石墨烯电磁屏蔽膜，其特征在于，它的厚度范围为10~35 μm，密度为1.3~1.6 g/cm³，电导率达1000 S/cm以上，拉伸强度达100 MPa以上，在宽频段电磁屏蔽效率达48 dB以上。