[发明专利]一种具有双向过压保护的模拟开关电路在审
申请号: | 202210055351.7 | 申请日: | 2022-01-18 |
公开(公告)号: | CN114400993A | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 熊派派;徐青;刘骏豪;杭丽;罗焰娇;杨光美;朱坤峰;张广胜 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
主分类号: | H03K17/081 | 分类号: | H03K17/081 |
代理公司: | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人: | 王海军 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 双向 保护 模拟 开关电路 | ||
1.一种具有双向过压保护的模拟开关电路,其特征在于,包括:开关控制电路、过压限流保护电路以及开关电路;所述开关控制电路与开关电路连接,用于控制开关电路;所述过压限流保护电路与开关电路连接,用于保护开关电路;
过压限流保护电路包括MOS管P4、MOS管N4、电阻R1和电阻R2;其中MOS管P4的源极连接电压输入端VDD,漏极连接电阻R1,栅极连接控制信号CN;MOS管N4的源极接地,漏极连接电阻R2,栅极连接控制信号CP;电阻R1和电阻R2的另一端分别连接到开关电路中,构成过压限流保护电路。
2.根据权利要求1所述的一种具有双向过压保护的模拟开关电路,其特征在于,开关控制电路包括第一倒相器和第二倒相器;第一倒相器的输出端与第二倒相器的输入端相连;将第一倒相器的输出端以及第二倒相器的输出端分别连接倒开关电路中,得到开关控制电路。
3.根据权利要求2所述的一种具有双向过压保护的模拟开关电路,其特征在于,第一倒相器包括MOS管P1和MOS管N1,MOS管P1的源极连接电压输入端VDD,漏极与MOS管N1的漏极相连,栅极与MOS管N1的栅极相连;将MOS管P1和MOS管N1相连的栅极作为第一倒相器的控制信号输入端口EN,将MOS管P1和MOS管N1相连后的漏极作为第一倒相器的输出端;第一导相器的输出端输出控制信号CP;第二倒相器包括MOS管P2和MOS管N2,第二倒相器的结构与第一倒相器的结构相同;第二导向器输出端输出控制信号CN。
4.根据权利要求1所述的一种具有双向过压保护的模拟开关电路,其特征在于,开关电路包括MOS管P3、MOS管N3以及MOS管N5;MOS管P3的源极与MOS管N3的源极相连,漏极与MOS管N3的漏极相连,衬底连接MOS管N5的漏极;MOS管N3的衬底与MOS管N5的源极相连;MOS管N5的栅极连接控制信号CN;将MOS管P3和MOS管N3相连后的源极作为模拟开关电路的输入端口S,将MOS管P3和MOS管N3相连后的漏极作为模拟开关电路的输出端口D。
5.根据权利要求1所述的一种具有双向过压保护的模拟开关电路,其特征在于,开关控制电路与开关电路连接包括开关控制电路的第一倒相器输出端连接开关电路的MOS管P3的栅极,开关控制电路的第二倒相器输出端连接开关电路的MOS管N3的栅极。
6.根据权利要求1所述的一种具有双向过压保护的模拟开关电路,其特征在于,过压限流保护电路与开关电路连接包括:过压限流保护电路的电阻R1与开关电路的MOS管P3的衬底连接,过压限流保护电路的电阻R2与开关电路的MOS管N3的衬底连接。
7.根据权利要求1~6所述的任意一种具有双向过压保护的模拟开关电路,其特征在于,第一倒相器的控制信号输入端口EN的输入信号为高电平时,EN通过P1、N1组成的倒相器后输出信号CP为低电平,再经过P2、N2组成的倒相器后输出信号CN为高电平,此时P4、N4处于截止状态P3、N3、N5处于导通状态,P3、N3的衬底通过N5连接在一起;对模拟信号端口S加信号,则P3管的S端P+有源区与其衬底NWELL之间会形成一个正偏的二极管,给开关管P3、N3的衬底供电,开关处于开启状态;
第一倒相器的控制信号输入端口EN的输入信号为低电平时,EN通过P1、N1组成的倒相器后输出信号CP为高电平,再经过P2、N2组成的倒相器后输出信号CN为低电平,此时P4、N4处于导通状态,P3、N3、N5处于截止状态,此时开关电路关断。
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