[发明专利]一种基于易失性三维忆阻器的三维储备池及其制作方法在审
| 申请号： | 202210055435.0 | 申请日： | 2022-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN114420721A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 许晓欣;孙文绚;余杰;张握瑜;董大年;赖锦茹;郑旭;尚大山 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张影 |
| 地址： | 100029 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 易失性 三维 忆阻器 储备 及其 制作方法 | ||
1.一种基于易失性三维忆阻器的三维储备池，其特征在于，所述三维储备池包括：
叠层结构，所述叠层结构包括依次层叠设置的第一材料层，以及位于相邻两个所述第一材料层之间的第二材料层，所述第一材料层和所述第二材料层的材料不同；
多个贯穿所述第一材料层和所述第二材料层的通孔，所述通孔暴露出第一层所述第一材料层；
在所述通孔的内侧壁上依次设置的存储层、选择层和电极层。
2.根据权利要求1所述的三维储备池，其特征在于，多个所述通孔阵列排布。
3.根据权利要求1所述的三维储备池，其特征在于，所述第一材料层的厚度为10nm-200nm。
4.根据权利要求1所述的三维储备池，其特征在于，所述第二材料层的厚度为5nm-100nm。
5.根据权利要求1所述的三维储备池，其特征在于，所述存储层的厚度为2.5nm-6nm。
6.根据权利要求1所述的三维储备池，其特征在于，所述选择层的厚度为5nm-20nm。
7.根据权利要求1所述的三维储备池，其特征在于，所述第一材料层的材料为SiO2；
所述第二材料层的材料为TiN或TaN。
8.一种基于易失性三维忆阻器的三维储备池的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
形成一叠层结构，所述叠层结构包括依次层叠设置的第一材料层，以及位于相邻两个所述第一材料层之间的第二材料层，所述第一材料层和所述第二材料层的材料不同；
对所述叠层结构进行刻蚀处理形成多个贯穿所述第一材料层和所述第二材料层的通孔，所述通孔暴露出第一层所述第一材料层；
在所述通孔的内侧壁上依次形成存储层、选择层和电极层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
