[发明专利]一种清洗锗晶片的方法及其应用

权利要求书

1.一种清洗锗晶片的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：将除污凝胶均匀涂覆于锗晶片表面，涂覆量为1-1.5g/cm²，以100-105℃的水蒸气直接加热锗晶片表面的除污凝胶15-20min，冷却至22±3℃，干燥，除去除污凝胶；所述除污凝胶包括以下重量份的原料：乙二胺四乙酸5-10份、聚丙烯酸钠4-6份、环氧树脂22-25份、表面活性剂5-8份、有机酸4-6份、水10-15份；

步骤S2：将锗晶片置于碱性氧化液中浸泡15-20min后取出，所述碱性氧化液的原料包含体积比为（2-3）:1的2-5wt%NH₃、2-5wt%H₂O₂水溶液；

步骤S3：将锗晶片置于体积比为1:（1.2-1.3）:（0.7-0.9）:（2-3）的38-41wt%HBr、36-38wt%HCl、48-50wt%HF、68.6-69.8wt%HNO₃水溶液中浸泡10-20min后取出；

步骤S4：用去离子水多次冲洗锗晶片；

步骤S5：干燥。

2.根据权利要求1所述的一种清洗锗晶片的方法，其特征在于，步骤S1-步骤S5均在不低于1000级的洁净室中进行。

3.根据权利要求1所述的一种清洗锗晶片的方法，其特征在于，所述去离子水为电阻率为17-18兆欧的超纯水。

4.根据权利要求1所述的一种清洗锗晶片的方法，其特征在于，所述有机酸为柠檬酸、马来酸中的一种或两种。

5.根据权利要求1所述的一种清洗锗晶片的方法，其特征在于，所述碱性氧化液中还包含微晶纤维素，以碱性氧化液总量为基准，所述微晶纤维素的重量百分含量为1-1.5%。

6.根据权利要求1所述的一种清洗锗晶片的方法，其特征在于，在步骤S2之后，步骤S3之前，还包括将碱性氧化液中浸泡后的锗晶片取出干燥，然后将干燥后的锗晶片进行等离子体清洗的步骤。

7.根据权利要求6所述的一种清洗锗晶片的方法，其特征在于，等离子体清洗为采用氮气与氩气的混合气体对锗晶片进行清洗。

8.一种锗晶片，其特征在于，所述锗晶片经权利要求1-7任一所述的清洗锗晶片的方法清洗后得到。