[发明专利]一种自调电阻型直流偏磁抑制装置

权利要求书

1.一种自调电阻型直流偏磁抑制装置，设置在变压器底部，其特征在于：包括热敏电阻PTCR、保护间隙T1、快速开关K1和电流互感器CT；所述变压器接地端连接电流互感器CT的第一端，电流互感器CT的第二端连接热敏电阻PTCR的第一端，热敏电阻PTCR的第二端接地；电流互感器CT的第二端连接快速开关K1的第一端，快速开关K1的第二端接地；电流互感器CT连接并控制快速开关K1。

2.根据权利要求1所述的一种自调电阻型直流偏磁抑制装置，其特征在于：所述电流互感器CT的第二端连接保护间隙T1的第一端，保护间隙T1的第二端接地；用于所述装置的过电压保护。

3.根据权利要求1所述的一种自调电阻型直流偏磁抑制装置，其特征在于：所述热敏电阻PTCR常温耐压不低于1000V，热平衡电流小于10A的PTCR电阻。

4.根据权利要求1所述的一种自调电阻型直流偏磁抑制装置，其特征在于：所述自调电阻型直流偏磁抑制装置底部设置有中位点监测系统，包括接地电阻检测模块，接地电阻检测模块通过无线模块连通控制中心。

5.根据权利要求4所述的一种自调电阻型直流偏磁抑制装置，其特征在于：所述中位点监测装置的运行步骤如下：

步骤S1、通过的接地电阻检测模块实时检测流经地面时的电阻数值、电流数据；若电流数据出现大幅度抖动，则记录此时的电阻数值和电流数据并传递至控制中心；

步骤S2、控制中心通过无线网络接收信号，获取当地电网变化情况、地貌特征和气温数据，并分别标记不同次接收到的信号；

步骤S3、综合相同地貌特征下、相似电网变化情况下的电流，根据温度变化数据和电流变化数据通过聚类拟合为I-T曲线。

6.根据权利要求5所述的一种自调电阻型直流偏磁抑制装置，其特征在于：获取I-T曲线后，按照如下步骤对不同节点进行改造：

步骤1、建立目标区域的土壤电场分布仿真模型及交流系统的仿真模型；

步骤2、将所述直流影响因素等效为直流电压源，接入交流系统中并获取变压器中性点；

步骤3、调节变压器中性点接地方式，求取不同运行方式下各个变压器的中性点直流电流、直流平均值及交流电流的有效值；

步骤4、建立抑制直流偏磁装置的等效电路模型；

步骤5、在各个直流电流超标点设置并完善各个直流偏磁抑制电路方案；根据线路拓扑结构的关联关系，在各个直流电流超标点设置各个所述直流偏磁抑制电路方案并完善当前所述接入等效直流偏磁抑制电路方案；

步骤6、比对全部的直流偏磁抑制电路方案，将其中设备安装数量最少的方案确定为最终的抑制直流偏磁设备的优化配置方案。

7.根据权利要求5所述的一种自调电阻型直流偏磁抑制装置，其特征在于，所述步骤5中的所述初选的接入等效直流偏磁抑制电路方案的选取原则包括：有关联关系的电路节点中，首选直流电流流入点安装设备；在与多个节点有关联关系的电路节点中，选取关联节点多的节点安装设备；

其中步骤5包括：

步骤51，根据不同的直流偏磁抑制选取方案，在整个系统仿真电路中添加等效直流偏磁抑制电路；

步骤52，重新仿真，求取接入等效直流偏磁抑制电路后不同运行方式下各个变压器的最大直流偏置及最大直流偏置点；

步骤53，判断是否存在直流电流超标，存在则返回步骤5，直至所有直流超标点都已接入抑制偏磁电路；

步骤54，建立当前方案接入抑制偏磁电路的直流偏磁超标点集合以及当前直流超标点在 不同工况下的直流电流值集合。