[发明专利]一种提高金纳米电极阵列空间分辨率的方法

权利要求书

1.一种提高金纳米电极阵列空间分辨率的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）金纳米电极阵列的制备；

2）利用电聚合及共价偶联法将电致荧光分子修饰到步骤1）的金纳米电极阵列中的每根独立金纳米电极表面；

3）利用步骤2）得到的金纳米电极阵列结合驱动电极构筑闭合式双极电极体系，基于所述闭合式双极电极体系构筑电光转换体系；

4）利用步骤3）构筑的基于闭合式双极电极的电光转换体系，在其阴极端加入磷酸盐缓冲溶液，在其阳极端修饰电致荧光分子并加入导电电解质；

5）在外加电压作用下，通过改变施加电压的方向，实现电致荧光分子的荧光信号的开关控制。

2.根据权利要求1所述的一种提高金纳米电极阵列空间分辨率的方法，其特征在于，步骤1）中金纳米电极阵列的制备是采用以阳极氧化铝为模板，结合电化学沉积法制备得到，所述阳极氧化铝直径为13±1 mm，厚度为50±10 μm，孔径为140±5nm，孔间距为450±20nm。

3.根据权利要求1所述的一种提高金纳米电极阵列空间分辨率的方法，其特征在于，步骤2）中利用电聚合及共价偶联法将电致荧光分子修饰到独立单根金纳米电极表面的具体步骤是采用阳极氧化法将吲哚甲醛单体电聚合到独立的单根金纳米电极表面，形成透明的导电聚合物，再通过酰胺缩合反应将电致荧光分子甲酚紫共价偶联到单根金纳米电极表面。

4.根据权利要求1所述的一种提高金纳米电极阵列空间分辨率的方法，其特征在于，步骤3）中基于所述的基于闭合式双极电极的光电转换体系的构筑具体步骤如下：

A、以得到的金纳米电极阵列为双极电极，将其键合到厚度为2±0.5 mm的聚二甲基硅氧烷芯片表面，然后，再用厚度为0.5±0.1 mm的载玻片进行封装，用带有孔径1±0.2 cm的聚二甲基硅氧烷芯片作为阳极端储液池；

B、阴极端储液池的制备：截取移液枪枪头尖细端的0.5±0.2 cm弃掉，然后再继续截取1.6±0.2 cm的长度作为阴极端的储液池；

C、利用Ag/AgCl电极作为驱动电极，结合电化学工作站联用，通过施加外加电压即可构筑成光电转换体系。

5.根据权利要求1所述的一种提高金纳米电极阵列空间分辨率的方法研究，其特征在于，步骤4）中所述导电电解质为氯化1-己基-3-甲基咪唑。

6.根据权利要求1所述的一种提高金纳米电极阵列空间分辨率的方法研究，其特征在于，步骤5）中所述外加电压及改变施加电压的方向为通过扫描循环伏安法0~2.0 V，2.0 ~-1.6 V，-1.6 V~0 V。