[发明专利]薄膜沉积设备有效
申请号: | 202210058615.4 | 申请日: | 2022-01-19 |
公开(公告)号: | CN114086156B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 张瑭;张天明 | 申请(专利权)人: | 北京中科重仪半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/44;C23C16/458 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;岳丹丹 |
地址: | 100192 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 沉积 设备 | ||
1.一种薄膜沉积设备,其特征在于,包括底座、位于所述底座上的侧壁、以及位于所述侧壁上与所述底座相对设置的上盖,所述底座、所述侧壁和所述上盖围成所述薄膜沉积设备的反应腔室,
其中,所述薄膜沉积设备还包括位于所述反应腔室中的承载盘和用于提供气体的喷头,所述喷头位于所述承载盘上方;
所述上盖上设置有与所述喷头相对应的多个流道,每个流道沿径向设置并具有一定的旋向,所述多个流道的旋向与所述承载盘的转动方向一致,所述喷头环绕所述承载盘设置。
2.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备,其特征在于,所述喷头为环形,所述喷头包括多层层间相互独立的气流通道,每层气流通道在朝向所述承载盘的一侧设置有均匀排布的多个出气口,每层气流通道在背离所述承载盘的一侧设置有多个进气口。
3.根据权利要求2所述的薄膜沉积设备,其特征在于,所述喷头由外界的气源进行供气,所述喷头中还设置有用于降温的冷却水通道。
4.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备,其特征在于,所述多个流道沿周向排布,形成环形阵列。
5.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备,其特征在于,所述流道向圆心延伸的迹线与半径间具有预设的夹角,所述夹角的角度与所述承载盘的转动速度相匹配,使所述流道中的气体在所述承载盘的转动方向上具有一定的速度分量。
6.根据权利要求4所述的薄膜沉积设备,其特征在于,所述承载盘包括用于放置晶圆的槽位和用于排出气体的排气孔,所述槽位为多个,多个所述槽位沿周向等间距阵列排布,所述排气孔位于所述承载盘的中心位置。
7.根据权利要求6所述的薄膜沉积设备,其特征在于,所述环形阵列的圆心处具有柱状空腔,使所述反应腔室中的气体在所述柱状空腔处形成漩涡,便于气体从所述排气孔快速排出,所述柱状空腔的直径不小于所述排气孔的直径。
8.根据权利要求6所述的薄膜沉积设备,其特征在于,还包括:
转轴,用于驱动所述承载盘转动;
连接件,用于将所述转轴与所述承载盘相连;
排气筒,套装于所述转轴外侧,所述排气筒与所述排气孔对应相连;
其中,所述连接件部分嵌入所述排气孔中,所述连接件采用镂空设计,使气体透过镂空部分从所述排气筒中排出。
9.根据权利要求8所述的薄膜沉积设备,其特征在于,所述连接件包括内 缘、支杆和外缘,所述支杆将所述外缘与所述内 缘相连,所述支杆具有与所述转轴转动方向相匹配的倒角。
10.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备,其特征在于,还包括:
加热器,位于所述承载盘下方,用于加热所述承载盘;
反射屏,位于所述加热器下方,用于提升加热效率;
支撑座,位于所述底座上,所述支撑座为环形,所述支撑座的上表面设置有用于支撑所述喷头的支撑面,所述加热器和所述反射屏均位于所述支撑面的下方。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的