[发明专利]可跟踪铁电电容工艺的自适应调节操作电压的电路和方法在审

专利信息
申请号: 202210058815.X 申请日: 2022-01-19
公开(公告)号: CN114594819A 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 周睿晰;杨建国;蒋海军;鹿洪飞 申请(专利权)人: 之江实验室
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 代理人: 孙孟辉
地址: 311100 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 跟踪 电容 工艺 自适应 调节 操作 电压 电路 方法
【权利要求书】:

1.可跟踪铁电电容工艺的自适应调节操作电压的电路,基于单管单电容(1T1C型)铁电存储单元,其特征在于,所述单管单电容(1T1C型)铁电存储单元通过一个采样电阻连接有跟踪电路,所述跟踪电路由依次连接的电流采样电路、误差放大器、电压调整器组成,单管单电容(1T1C型)铁电存储单元产生翻转电流流经采样电阻,采样电阻产生的两端电位差被电流采样电路采集,再经过误差放大器与输入误差放大器的参考电压进行比较,将比较结果反馈给电压调整器,输出操作电压。

2.根据权利要求1所述的可跟踪铁电电容工艺的自适应调节操作电压的电路,其特征在于,所述电流采样电路,包括第一运算放大器A1、第二运算放大器A2、第三运算放大器A3、电阻R1-R7,其中电阻R2和电阻R5相同,电阻R3和电阻R6相同,电阻R4和电阻R7相同,电阻R1的一端与电阻R2的一端相连接后接入第一运算放大器A1的反相输入端,电阻R1的另一端与电阻R5的一端相连接后接入第二运算放大器A2的反相输入端,电阻R3的一端与电阻R2的另一端相连接后接第一运算放大器A1的输出端,电阻R6的一端与电阻R5的另一端相连接后接第二运算放大器A2的输出端,电阻R3的另一端与电阻R4的一端相连接后接入第三运算放大器A3的同相输入端,电阻R4的另一端接地,电阻R6的另一端与电阻R7的一端相连接后接入第三运算放大器A3的反相输入端,电阻R7的另一端接至第三运算放大器A3的输出端。

3.根据权利要求2所述的可跟踪铁电电容工艺的自适应调节操作电压的电路,其特征在于,所述采样电阻两端分别接入第一运算放大器A1的同相输入端和第二运算放大器A2的同相输入端,即在仪表放大器两输入端Vi1、Vi2分别接入采样电阻两端,电流采样电路的输出端表达式为:。

4.根据权利要求1所述的可跟踪铁电电容工艺的自适应调节操作电压的电路,其特征在于,在所述电流采样电路与误差放大器之间可插入多级放大器。

5.根据权利要求1所述的可跟踪铁电电容工艺的自适应调节操作电压的电路,其特征在于,所述再经过误差放大器与输入误差放大器的参考电压进行比较,将比较结果反馈给电压调整器,输出操作电压,具体为:所述误差放大器将采样电阻的电压降与参考电压进行比较,将两者的差值信号放大后,反馈给电压调整器的控制端,电压调整器自我调节输出电压的大小,所述输出电压,即极化操作电压,直接驱动位线BL/板线PL读写工作。

6.根据权利要求1所述的可跟踪铁电电容工艺的自适应调节操作电压的电路,其特征在于,所述单管单电容(1T1C型)铁电存储单元由一个晶体管和一个铁电电容组成,具体的,铁电电容的一端连接晶体管的第一端,铁电电容的另一端接有板线PL,晶体管的第二端接有位线BL,晶体管的第三端接有字线WL。

7.根据权利要求6所述的可跟踪铁电电容工艺的自适应调节操作电压的电路,其特征在于,该电路的操作时序,分为t0、t1、t2、t3、t4五个阶段,具体的:

t0阶段中,铁电电容处于未被极化的状态,即极化强度为0;

t1阶段中,字线WL置高,同时用初始操作电压将板线PL拉高,位线BL保持零电位,数据“0”被写入铁电存储单元;

t2阶段中,字线WL保持高电平,撤除板线PL、位线BL电压作用,对铁电电容CFe不进行操作;

t3阶段中,字线WL保持高电平,同时用该操作电压将位线BL拉高,板线PL拉低,数据“1”被写入铁电存储单元;

t4阶段中,撤去外部电压,操作结束。

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