[发明专利]一种高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络

权利要求书

1.一种高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络，其特征在于，包括完全相同的三个片上混合型差分正交耦合器，即片上混合型差分正交耦合器A、片上混合型差分正交耦合器B和片上混合型差分正交耦合器C；所述片上混合型差分正交耦合器B和片上混合型差分正交耦合器C均由片上混合型差分正交耦合器A平移得到，并且所述片上混合型差分正交耦合器B与片上混合型差分正交耦合器C呈轴对称分布；

每个片上混合型差分正交耦合器均包括设置在第n-1金属层的差分输入端和差分直通端，以及设置在第n-2金属层的差分耦合端和差分隔离端；片上混合型差分正交耦合器A的差分直通端与片上混合型差分正交耦合器B的差分输入端通过第n-1金属层相连接；片上混合型差分正交耦合器A的差分耦合端与片上混合型差分正交耦合器C的差分输入端通过第n-1金属层和第n-2金属层相连接；并且用于连接片上混合型差分正交耦合器A和片上混合型差分正交耦合器B的第n-1金属层与用于连接片上混合型差分正交耦合器A和片上混合型差分正交耦合器C的第n-1金属层呈轴对称设置；片上混合型差分正交耦合器B的差分直通端和片上混合型差分正交耦合器C的差分耦合端通过第n-1金属层和第n-2金属层相连接后再与差分Q信号输出端连接；片上混合型差分正交耦合器B的差分耦合端和片上混合型差分正交耦合器C的差分直通端通过第n-1金属层和第n-2金属层相连接后再与差分I信号输出端连接。

2.根据权利要求1所述的高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络，其特征在于，每个片上混合型差分正交耦合器中，差分输入端与差分直通端之间通过差分直通螺旋金属线圈相连接，差分耦合端与差分隔离端之间通过差分耦合螺旋金属线圈相连接。

3.根据权利要求2所述的高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络，其特征在于，差分输入端分为差分输入端A端和差分输入端B端；差分直通端分为差分直通端A和差分直通端B；差分隔离端分为差分隔离端A和差分隔离端B；差分耦合端分为差分耦合端A和差分耦合端B。

4.根据权利要求3所述的高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络，其特征在于，第n-1金属层和第n-2金属层中通过金属线、金属跳线和通孔实现各片上混合型差分正交耦合器的连接。

5.根据权利要求4所述的高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络，其特征在于，差分直通螺旋金属线圈的差分输入端A依次通过第n-1金属层的金属线M15、通孔K14、第n金属层的金属跳线J11、通孔K13、第n-1金属层的金属线M16、通孔K12、第n金属层的金属线M17、通孔K11和第n-1金属层的金属线M18连接到差分直通端A；差分直通螺旋金属线圈的差分输入端B依次通过第n-1金属层的金属线M11、通孔K18、第n金属层的金属跳线J12、通孔K17、第n-1金属层的金属线M12、通孔K16、第n金属层的金属线M13、通孔K15和第n-1金属层的金属线M14连接到差分直通端B。

6.根据权利要求5所述的高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络，其特征在于，差分耦合螺旋金属线圈的差分隔离端A依次通过第n-2金属层的金属线M21、通孔K25、第n-3金属层的金属线M22、通孔K26、第n-2金属层的金属线M23、通孔K27、第n-3金属层的金属跳线J22、通孔K28和第n-2金属层的金属线M24连接到差分耦合端A；差分耦合螺旋金属线圈的差分隔离端B依次通过第n-2金属层的金属线M25、通孔K21、第n-3金属层的金属线M26、通孔K22、第n-2金属层的金属线M27、通孔K23、第n-3金属层的金属跳线J21、通孔K24和第n-2金属层的金属线M28连接到差分耦合端B。