[发明专利]一种光伏衬底晶片的加工工艺

权利要求书

1.一种光伏衬底晶片的加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：

对单晶硅棒进行预处理，得到边皮材料；

去除所述边皮材料中的圆弧状边皮顶，形成两面平行的不规则块状长条形状；

将所述不规则块状长条的中部部分切割为六面体方边皮结构的单晶硅块；

对所述六面体边皮结构的单晶硅块进行磨抛处理，得到六面体小方块；

将磨抛处理后的所述六面体小方块粘接于切片机的粘接工装治具；

将粘接工装治具上的所述六面体小方块在多线切片机上切割为第一预设尺寸的单晶硅片，得到光伏衬底晶片。

2.根据权利要求1所述的光伏衬底晶片的加工工艺，其特征在于，所述对单晶硅棒进行预处理，得到边皮材料，包括：

将固定尺寸的硅单晶整棒进行截断处理，得到第二预设尺寸的单晶硅棒；

对经过截断后的单晶硅棒进行切方处理，得到中间的方棒材料以及所述方棒材料四周四块一侧有圆弧顶的边皮材料。

3.根据权利要求2所述的光伏衬底晶片的加工工艺，其特征在于，所述第二预设尺寸为650—1000mm。

4.根据权利要求1所述的光伏衬底晶片的加工工艺，其特征在于，所述对每个所述六面体边皮结构的单晶硅块进行磨抛处理，包括：

将六面体单晶硅块切割成若干六面体小方块；

对每个所述六面体小方块的两个大平面之外的四个面进行研磨抛光或粗磨精磨，或，对每个所述六面体小方块的六个面全部研磨抛光或粗磨精磨，并将四个角进行倒角加工。

5.根据权利要求1所述的光伏衬底晶片的加工工艺，其特征在于，所述对每个所述六面体边皮结构的单晶硅块进行磨抛处理后，还包括：

将六面体方边皮的两个平面进行研磨加工，使其具有预设厚度尺寸精度；

对经过研磨平面的方边皮进行粘接，得到固定尺寸的粘接块；

对所述粘接块进行切割处理，得到若干粘接棒；

将所述粘接棒两端面之外的四个面进行磨抛加工，并进行倒角处理。

6.根据权利要求1所述的光伏衬底晶片的加工工艺，其特征在于，所述对单晶硅棒进行预处理，得到边皮材料，包括：

将4000－5500mm的整根单晶硅棒采用高速金刚线切割为650-1000mm的两端准平行的等长短棒，所述等长短棒的长度为切片加工前的所述六面体小方块长度的整数倍加上两端的切割余量；

对经过切割后的所述等长短棒进行切方处理，得到中间的方棒材料以及所述方棒材料四周四块一侧有圆弧顶的边皮材料。