[发明专利]包括具有经调节的氮重量百分比的隧穿层的沟道结构及其形成方法

说明书

公开了存储器件及其制造方法的实施例。在示例中，一种存储器件，包括：衬底；存储堆叠体；以及沟道结构。所述存储堆叠体包括在所述衬底之上的交错的导体层和电介质层。所述沟道结构延伸通过所述存储堆叠体到达所述衬底中，并且包括功能层，所述功能层包括隧穿层，所述隧穿层的氮重量百分比不大于约28％。

本申请是申请日为2020年1月14日，名称为“包括具有经调节的氮重量百分比的隧穿层的沟道结构及其形成方法”，申请号为202080000132.8的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本公开的实施例涉及三维(3D)存储器件及其重量百分比和制造方法。

背景技术

通过改进工艺技术、电路设计、编程算法、和制造工艺，平面存储单元被缩放到更小的尺寸。然而，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性并且成本高昂。结果，平面存储单元的存储密度接近上限。

三维(3D)存储架构可以解决平面存储单元中的密度限制。3D存储架构包括存储器阵列和用于控制信号来往于存储器阵列的外围设备。

发明内容

于此公开了包括具有经调节的氮重量百分比的隧穿层的沟道结构的实施例及其制造方法。

在一个示例中，一种存储器件，包括：衬底；存储堆叠体；以及沟道结构。所述存储堆叠体包括在所述衬底之上的交错的导体层和电介质层。所述沟道结构延伸通过所述存储堆叠体到达所述衬底中，并且包括功能层，所述功能层具有隧穿层，所述隧穿层的氮重量百分比不大于约28％。

在另一示例中，一种用于形成存储器件的方法，包括以下操作。首先，在衬底之上的堆叠结构中形成沟道孔。从所述沟道孔的侧壁朝向所述沟道孔的中心径向布置地依次沉积阻挡层、存储层和隧穿层。执行热处理以将所述隧穿层中的氮重量含量调节为不大于约28％。在所述沟道孔中的所述隧穿层之上沉积半导体层。

附图说明

并入本文中并形成申请文件一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与说明书一起进一步用于解释本公开的原理并使本领域技术人员能够实现和使用本公开。

图1示出了根据一些实施例的3D存储器件中的沟道结构的一部分的横截面的示意图。

图2示出了在本公开的各种实施例中使用的退火装置。

图3A至图3D示出了根据一些实施例的形成具有隧穿层的沟道结构的示例性制造工艺，该隧穿层具有减小的氮重量百分比。

图4示出了根据一些实施例的在不同退火条件下形成的氮重量百分比。

图5示出了根据一些实施例的在不同退火条件下形成的氮重量百分比和氧重量百分比。

图6示出了根据一些实施例的形成具有示例性隧穿层的沟道结构的示例性制造工艺的流程图，该隧穿层具有减小的氮重量百分比。

图7A-7C示出了根据一些实施例的在退火工艺期间的示例性参数调节。

将参考附图描述本公开的实施例。

具体实施方式

尽管讨论了特定的配置和布置，但是应当理解，这样做仅出于说明的目的。本领域技术人员将认识到，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以使用其他配置和布置。对本领域技术人员将显而易见的是，本公开还可以用于多种其他应用中。

应当注意，申请文件中对“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”、“一些实施例”等的引用指示描述的实施例可以包括特定特征、结构、或特性，但是每一个实施例不必然包括该特定特征、结构、或特性。此外，该短语不必然指相同的实施例。此外，当联系实施例描述特定特征、结构或特性时，不管是否明确描述，与其它实施例相联系来改变该特征、结构或特性都在本领域技术人员的知识范围内。