[发明专利]一种增加氮化铝陶瓷与金属层之间粘附力的金属体系膜层制备工艺

权利要求书

1.一种增加氮化铝陶瓷与金属层之间粘附力的金属体系膜层制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：

S1.对氮化铝基材进行清理；

S2.在已清理的氮化铝基材上沉积一层Ti薄膜，形成低层膜层；

S3.对氮化铝基材进行退火；

S4.在退火后的氮化铝基材上沉积一层薄膜，形成中层膜层；

S5.在氮化铝基材上沉积一层Au薄膜，形成高层膜层；

S6.对氮化铝基材进行二次退火。

2.根据权利要求1所述的一种增加氮化铝陶瓷与金属层之间粘附力的金属体系膜层制备工艺，其特征在于：S2中，在真空度不低于5*10^-4Pa的环境下进行沉积，沉积时通入氩气1500～3000sccm，压强0.1～0.4Pa，低层膜层的厚度为100～300nm。

3.根据权利要求2所述的一种增加氮化铝陶瓷与金属层之间粘附力的金属体系膜层制备工艺，其特征在于：S3中，包括三个阶段： A1.升温阶段； A2.保温阶段； A3.降温阶段。

4.根据权利要求3所述的一种增加氮化铝陶瓷与金属层之间粘附力的金属体系膜层制备工艺，其特征在于：S3中，所述A1中，以均匀上升的速度将温度由室温提升至850℃，所述A2中，温度维持850℃，所述A3中，以均匀下降的速度将温度降至200℃。

5.根据权利要求4所述的一种增加氮化铝陶瓷与金属层之间粘附力的金属体系膜层制备工艺，其特征在于：S3中，所述A1中,每隔5分钟升温50℃，所述A2中，保温10min，所述A3中，每隔5分钟降温50℃。

6.根据权利要求5所述的一种增加氮化铝陶瓷与金属层之间粘附力的金属体系膜层制备工艺，其特征在于：S4中，包括两个阶段： B1.低功率溅射阶段，所述低功率溅射阶段，功率为50～100W； B2.常规功率溅射阶段，所述常规功率溅射阶段，功率为300～600W。

7.根据权利要求6所述的一种增加氮化铝陶瓷与金属层之间粘附力的金属体系膜层制备工艺，其特征在于：S4中，所述B1中，工艺腔室内，真空度不低于5*10^-4Pa，溅射过程中，通入氩气1500～3000sccm，压强0.1～0.4Pa，且中层膜层厚度为10nm，所述B2中，工艺腔室内，真空度不低于5*10^-4Pa，溅射过程中，通入氩气1500～3000sccm，压强0.1～0.4Pa，且薄膜厚度为100～300nm。

8.根据权利要求7所述的一种增加氮化铝陶瓷与金属层之间粘附力的金属体系膜层制备工艺，其特征在于：S5中，工艺腔室内，真空度不低于5*10^-4Pa，沉积过程中，功率为300～600W，通入氩气1500～3000sccm，压强0.1～0.4Pa，且薄膜厚度为100～300nm。

9.根据权利要求8所述的一种增加氮化铝陶瓷与金属层之间粘附力的金属体系膜层制备工艺，其特征在于：S6中，包括三个阶段： C1.升温阶段； C2.保温阶段； C3.降温阶段。

10.根据权利要求9所述的一种增加氮化铝陶瓷与金属层之间粘附力的金属体系膜层制备工艺，其特征在于：所述C1中，以均匀上升的速度将温度由室温提升至450℃，且每隔5分钟升温50℃，所述C2中，温度维持450℃，且持续30min，所述C3中，以均匀下降的速度将温度降至室温，且每隔5分钟降温25℃。