[发明专利]用于在多层系统的第一半导体层中形成沟道的方法

权利要求书

1.一种用于在多层系统的第一半导体层(1)中形成沟道(3)的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

在所述第一半导体层(1)上施加掩模层(4)，其中，在所述掩模层中形成至少一个槽口(5)，使得在所述槽口(5)内的第一半导体层(1)暴露；

施加保护层(6)，其中，所述保护层(6)完全覆盖或调整所述掩膜层(4)和在所述槽口(5)内暴露的第一半导体层(1)；

在所述保护层(6)上施加第二半导体层(2)；

将所述第二半导体层(2)蚀刻成，使得所述第二半导体层(2)在将所述掩模层(4)的所述槽口(5)包围的子区域(7)中被完全去除，其中，所述保护层(6)起到蚀刻停止层的作用，并且所述保护层(6)在被去除的所述子区域(7)中暴露；

将所述保护层(6)蚀刻成，使得所述第一半导体层(1)在所述槽口(5)内暴露；

在所述第一半导体层(1)中形成所述沟道(3)，其中，所述掩模层(4)的所述槽口(5)用作蚀刻掩模，并且所述沟道(3)通过蚀刻步骤与钝化步骤之间的周期性交替而形成，其中，通过蚀刻步骤逐渐地去除所述第一半导体层(1)的材料，并且通过钝化步骤进行对所述沟道(3)的内壁的钝化，其中，第一蚀刻步骤比后续的蚀刻步骤时间长，从而在所述沟道的上边缘上的横向材料去除量(8)比在位于其下方的区域中的横向材料去除量大。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在施加所述掩模层(4)之后，在所述掩模层(4)中形成至少一个另外的槽口(15)，并且将所述第一半导体层(1)在所述另外的槽口(15)中暴露，其中，将所述保护层(6)施加成，使得该保护层完全覆盖在所述另外的槽口(15)内暴露的第一半导体层(1)，其中，在施加所述第二半导体层(2)之前移除所述另外的槽口(15)内的保护层(6)，使得所述第二半导体层(2)通过所述另外的槽口(15)与所述第一半导体层(1)接触。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在对所述第二半导体层(2)进行蚀刻时，通过漆层来保护所述第二半导体层(2)的、将所述掩模层(4)的所述另外的槽口(15)包围的子区域(17)以防材料去除。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其中，通过施加和结构化另外的掩模层以及通过随后的局部蚀刻来移除所述另外的槽口(15)内的保护层(6)。

5.根据上述权利要求之一所述的方法，其中，所述保护层(6)借助低压气相沉积LPCVD由正硅酸四乙酯TEOS形成。

6.根据上述权利要求之一所述的方法，其中，借助由六氟化硫SF₆形成的等离子体来进行在形成所述沟道(3)时的蚀刻步骤。

7.根据上述权利要求之一所述的方法，其中，通过由借助低压气相沉积LPCVD施加的正硅酸乙酯TEOS制成的硬掩模来形成所述掩模层(4)。

8.根据上述权利要求之一所述的方法，其中，借助四氟甲烷CF₄或借助六氟化硫SF₆进行所述保护层(6)的局部蚀刻。

9.根据上述权利要求之一所述的方法，其中，在将所述掩模层(4)的槽口(5)内的保护层(6)贯通蚀刻之前结束所述第二半导体层(2)的蚀刻，其中，通过末端点探测对到达所述保护层(6)进行识别，或者确定在对所述第二半导体层(2)进行蚀刻时的蚀刻周期的数量，使得在所述掩膜层的槽口(5)内的保护层(6)不被贯通蚀刻。

10.根据上述权利要求之一所述的方法，其中，在晶片的多个区域中同时执行所述这些步骤，并且并行地产生多个微机电结构，其中的每个微机电结构具有在所述第一半导体层(1)中形成的至少一个沟道(3)。