[发明专利]超导线圈接头、制备方法及超导线圈有效
| 申请号： | 202210062112.4 | 申请日： | 2022-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN114360845B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 朱佳敏;陈思侃;张智巍;吴蔚;甄水亮;连亚博;丁逸珺 | 申请（专利权）人： | 上海超导科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F6/06 | 分类号： | H01F6/06;H01F41/04 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 施嘉薇 |
| 地址： | 201207 上海市浦东新区自由*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超导 线圈 接头 制备 方法 | ||
1.一种超导线圈接头的制备方法，其特征在于，包括：
步骤S1：获取基带，对基带进行抛光；
步骤S2：在所述基带上依次形成过渡层、超导层和银层，得到多层结构；
步骤S3：对所述多层结构进行分切，得到所需的宽度；
步骤S4：在所述多层结构上预镀铜；
还包括划刻步骤：
在形成超导层后，沿长度方向在所述超导层划刻两道第一划痕，沿宽度方向在所述超导层划刻多道第二划痕，在划刻后的超导层上继续形成银层；或者，
在形成银层后，沿长度方向在所述银层和所述超导层划刻两道第一划痕，沿宽度方向在所述银层和所述超导层划刻多道第二划痕，在划刻后的超导层上继续形成银层；或者，
在形成过渡层后，沿长度方向在所述过渡层划刻两道第一划痕，在划刻后的所述过渡层上镀制超导层，沿宽度方向在所述超导层划刻多道第二划痕，在划刻后的超导层上镀制银层；
其中，所述第二划痕在厚度方向的投影位于所述两道第一划痕在厚度方向的投影之间，分切的位置位于所述两道第一划痕的外侧；
在所述过渡层划刻的所述第一划痕的深度等于所述超导层的厚度，在所述超导层划刻的所述第一划痕或所述第二划痕的深度等于所述超导层的厚度，在所述银层划刻的所述第一划痕或所述第二划痕的深度等于所述超导层加所述银层的厚度；
所述预镀铜包括：将所述多层结构卷绕在圆柱上，在弯曲状态下电镀；
所述圆柱的直径为5-10mm。
2.根据权利要求1所述的超导线圈接头的制备方法，其特征在于，所述划刻采用激光划刻。
3.根据权利要求1所述的超导线圈接头的制备方法，其特征在于，在预镀铜后进行镀光亮铜以及镀沙面铜处理。
4.根据权利要求1所述的超导线圈接头的制备方法，其特征在于，所述抛光的次数为1至5次。
5.根据权利要求1所述的超导线圈接头的制备方法，其特征在于，通过抛光使基带上的粗糙度小于预设值。
6.一种超导线圈接头，其特征在于，采用权利要求1所述的超导线圈接头的制备方法制备得到。
7.一种超导线圈，其特征在于，包括权利要求6所述的超导线圈接头。
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